Gast
#1106796
Hallo Experten, ich möchte gerne wissen, wie der RDS(on) bei einem N-Kanal MOSFET definiert ist. Gibt es einen einheitlichen Standard, wie der Einschaltwiderstand gemessen wird. Ich habe verschiedene Datenblätter von N-Kanal MOSFETs angesehen (Spalte 'Testconditions'). Bei den Testconditions wurde meistens eine Ugs von 10V angegeben. Wie sieht es dann mit der Uds aus ? Soweit ich verstanden habe, muss der NMOS im Widerstandsbereich betrieben werden (unterhalb der Pinch Off Spannung), um den kleinsten Einschaltwiderstand zu erhalten. Über der Pinch Off Spannung ist der Kanal abgeschnürt und dementsprechend steigt auch der Widerstand wieder. Vielleicht kann mir da jemand weiterhelfen. Sebastian
