Hallo beisammen, folgende Frage bzgl. der Adressierung des ATMEL AT45DB081D (ausgegangen von einer Pagegröße von 256byte). Ich habe 20 bit Werte, 9bit für den Block | 3bit für die Page des Blocks | 8bit für ein Byte lt. Datenblatt sollen die 3 Adressbytes nach dem opcode übertragen werden. Wie werden diese zusammengesetzt? Habe ja 24bit für 20bit Adressen zu Verfügung stehen. Sollen diese vorne oder hinten angehangen werden? Pinzipell möchte ich Hex-Daten im Speicher ablegen und da diese von anderen Schnittstellen kommen sind mir 256byte-Blöcke sympatischer als 264byte Blöcke. Oder gibts hierzu andere Meinungen? Danke, MfG
Da steht alles drin.
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Gast
#1179550
Ich verwende 264byte Bloecke und habe pro 256Bye noch 8 Byte fuer CRC und dergleichen.
danke. (wer lesen kann... ist klar im vorteil) warum auch immer die abbildungen im anhang sein müssen.. :( okay, is ne idee.. wie hoch ist die wahrscheinlichkeit für einen übertragungsfehler zw. speicher und controller? (abstand nicht mehr als 4 mm, keine störquellen in direkter übergebung, bei 8MHz)
Gast
#1179605
Es geht weniger um Uebertragungsfehler als um Speicherfehler. Zugegeben, die Atmel Datenflash sind NOR-Flash und daher viel zuverlaessiger als NAND-Flash, aber eben nicht 100%. Diese 8 Byte verwendet man am Besten als speicher fuer Hammingcode, damit kann man je nach Code-Laenge 1 bit Fehler korrigieren kann. Ein CRC ist eigentlich 2. Wahl, da man damit allenfalls einen Fehler erkennen, aber nicht korrigieren kann.
Etwas offtopic, möchte aber keinen neuen Thread eröffnen: - ich kann während z.B. Buffer 1 in den Speicher schreibt nicht gleichzeitig in Buffer 2 schreiben?! - und schlimmer, während ein Speicherbereich gelöscht wird, ist der Speicher ebenfalls "busy"? :( also wäre es sinnvoll, vor der Schreibinteraktion den Speicherbereich zu löschen...
Gast
#1180748
Waehrend der Buffer1 in Flash kopiert wird kann man nauterlich in den Buffer2 schreiben. Das dauert so um die paar ms.
Dann verstehe ich das DB nicht, dort steht, dass (z.B. unter 7.8, letzter Satz), dass das Statusregister angibt, dass der "Teil" busy ist. Nur kann ich beim Statusregister nicht Bereiche abfragen, sondern nur den Gesamtstatus des Speichers...
evtl. hier noch ein Auszug...
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Gast
#1180902
Both the erase and programming are self timed.... ja. aber waehrend dieser Zeit kann man in den anderen Bbuffer schreiben. Im Prinzip kann man waehrend der Programmierzeit den anderen Buffer gesammt fuellen und so dauernd programmieren. Damit erreicht man die maximale Schreibrate von 1 Seite/ Programmierzeit.
Gast
#1180906
Sorry das ist der falsche mode. Nicht main memory page through buffer, sondern ... buffer write + buffer to main memory with built in erase.
ahem wrote: > Sorry das ist der falsche mode. Nicht main memory page through buffer, > sondern ... buffer write + buffer to main memory with built in erase. Ist das nicht das selbe? Während des Vorgangs "buffer to main memory with built in erase." ist der Speicher wieder busy. Bei jeder Funktion (außer beim Schreiben in einen Buffer) steht eine Wartezeit... oder habe ich nur die Busyeigenschaft vom Datenregister falsch aufgefasst?
Gast
#1181173
Ist das nicht das selbe? Nein, ist es nicht. Denn der andere Buffer ist benutzbar (schreibbar). Ohne Wartezeit. Das Busy bezieht sich auf den Vorgang, der dauert.
Gast
#1181176
Ich betreib meine Datenflash immer so. Jeweils 4ms Wartezeit waeren nicht tragbar.
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