N-Fet leitet auch bei 0v Gate-Spannung?

Die 0,54V Spannungsdifferenz zwischen Source und Drain sehen doch 
verdächtig nach einer Diodendurchlassspannung aus. Wenn ich das richtig 
sehe, dann sind die Body-Dioden der Mosfets von +UB zum Schaltregler in 
Durchlassrichtung eingebaut. Wenn du Source und Drain der Mosfets 
vertauschst, dann solltest du die Schaltung auch abschalten können.

Gruß,
A.Dent

Wenn der FET3 ein N-Kanal ist, dann ist dieser falsch herum in der 
Schaltung!

>ja das stimmt, hab ich ganz übersehen, werde Source-Drain tauschen dann
>dürfte es wie geplant funktionieren.

Nein. Dann ist zwar der N-FET korrekt in der Schaltung, aber du wirst 
diesen nicht ansteuern können, weil?

Richtig. Weil du U_gate_nach_source anlegen musst. Und wo ist das 
Source? Es ist schwimmend an der Drossel angeschlossen.
Diese Ansteuerung (N-Kanal alsHigh-SIde FET) ist nicht ganz so einfach. 
Erst recht nicht, bei solchen Frequenzen...

@  Dennis Schulz (pantheron):

Du hast Recht. Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

> Aber das PRoblem der Ansteuerung bleibt bestehen.

Wieso? Das Drain-Potenzial liegt immer igendwo zwischen 0 und Ub=+4V.
Werden an das Gate +8V angelegt, liegt Ugs zwischen 4V und 8V, d.h. der
Mosfet ist in jedem Fall gut an (bei 4V etwa 20mOhm) und geht nicht
kaputt (Ugsmax=12V).

Source-Potenzial meinte ich natürlich.

Gatespannung muss beim N-Kanal größer als Source sein. Ladungspumpe!