@Jens G.
Wenn ich etwa +5V an das Gate gegen Source schalte fließt ein Strom von
65mA in das Gate und der R_DS hat etwa 3MOhm.
Pole ich U_GS um, also -5V, so ist R_DS etwa 14MOhm und I_G ebenfalls
65mA.
Im Anhang ist meine Relaisschaltung.
An die Stelle Relais_OFF_J2 und Relais_ON_J2 sitzen die µC-Ports, die
eine Relaisspule bei einem High-Pegel gegen GND schalten sollen. Am
Anfang wollte ich dies mit bipolaren Transistoren realisieren. Da die
Ports des µC bei einem Ausgangspegel (High) von 2,4V einen max. Strom
von 80µA treiben, bin ich auf den oben angegebenen MOSFET umgestiegen.
Der Grund der gegen die Verwendung von bipolaren Transistoren spricht
ist, dass die Ports den benötigten Basisstrom zum Schalten der
Transistoren nicht liefern und somit der Pegel am µC einbricht. Ich weis
erstmal nicht mehr weiter, kann mir jemand helfen??? Mein Ziel ist doch
nur, dass ich die Relais schalten kann, sobald ein High-Pegel an der
Basis bzw. am Gate anliegt.