Warum Logik in MOS-Technik und Treiber bipolar in einem IC?

OP #1587641
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Hallo,

ich habe mal eine Frage an die Experten.

Über diesen Beitrag:
Beitrag "Re: Anzeigetafel für Sporthalle"
bin ich auf den IC A6841 aufmerksam geworden.
http://www.allegromicro.com/en/Products/Part_Numbers/6841/6841.pdf

Dabei handelt es sich um einen 8-Bit-Schieberegister/Latch/Treiber IC.

Was mir nicht einleuchtet ist, warum der gesamte IC in MOS-Technik 
ausgeführt ist, nur die Treiber sind bipolar.
Wäre es nicht deutlich sinnvoller, auch die Treiber als MOSFETs 
auszuführen?
Laut Datenblatt hat der IC bei 350mA Strom eine Sättigungsspannung von 
1,6V!

Selbst bei einem RDSon von 1 Ohm wäre der Spannungsabfall bei einem 
MOSFET deutlich geringer.

Wieso macht man sowas?
Sind Treiber in MOS-Technik teurer? Passen 8 Stück nicht auf einen IC???
Gast #1587649
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Florian K. schrieb:
> Selbst bei einem RDSon von 1 Ohm wäre der Spannungsabfall bei einem
> MOSFET deutlich geringer.
> Passen 8 Stück nicht auf einen IC???

So würde ich das sehen. 8 St. mit so einem Rdson sind einfach zu groß.
Gast #1587658
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Möglicherweise hat es was mit der Chipgeometrie zu tun, oder schlichtweg 
mit Schaltzeiten und Treiberkraft der Schaltung im IC, denn 
Leistungs-FET haben immer ordentliche Gatekapazitäten. Das müßte man im 
Detail mal nachschauen.
Gast #1587678
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Bensch schrieb

>Leuchtet mir nicht ein, TI hat das Ganze in MOS.

Hast du mal ein Datenblatt?

Florian K. schrieb:

>Ist wahrscheinlich auch der Grund, warum es nicht etwas wie den
>ULN2803 als  MOSFET-Ausführung gibt.

Jetzt rede doch niemand den ULN2803 schlecht, der ist in Millionen 
Industrieapplikationen drin. Und wenn man mit so einem Ausgang einen 
Schrottmagneten steuern will, braucht man eben noch ein Interface.
Moderator #1587745
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Ein anderer Grund könnte sein, dass Leistungsmosfets normalerweise
vertikal¹, die Mosfets in ICs aber üblicherweise lateral aufgebaut
sind. Ich kann mir gut vorstellen, dass die Kombination den Herstell-
prozess verkompliziert und die ICs verteuert.

¹) Dadurch können viele parallelgeschaltete Einzelmosfets dicht gepackt
   werden.
OP #1588227
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Bensch schrieb:
>> Meinst Du den TLC59210/59211?
>
> Nein, den hier: tpic6x595

Interessant... Der hat ein RDSon von 7 Ohm. Beim erlaubten Maximum von 
100mA wären wir dann wieder genau bei 0,7V. Also bei dieser Stromstärke 
auch nicht besser als bipolar. (Bei geringeren Strömen allerdings 
schon...)

Jedenfalls Danke an alle für die Antworten...

@Wilhelm: Niemand will den ULN2803 schlecht reden :-)
#1588268
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>Interessant... Der hat ein RDSon von 7 Ohm. Beim erlaubten Maximum von
100mA wären wir dann wieder genau bei 0,7V. Also bei dieser Stromstärke
auch nicht besser als bipolar.

Diese Aussage ist leider falsch. Denn einen Bipolartransistor kann man 
je nach Typ mit genuegend basisstrom auf 50mV CE runter saettigen.
#1588274
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@Verschneiter Tag (Firma: vorgestern) (hacky)

>Diese Aussage ist leider falsch. Denn einen Bipolartransistor kann man
>je nach Typ mit genuegend basisstrom auf 50mV CE runter saettigen.

Ja eben, aber diesen Basisstrom kann und will man nicht aufbringen. 
Allerdings gibt es spzielle Schalttransistoren, z.B. von Zetex. Die 
haben schon sehr kleine Sättigungsspannungen.

MFG
Falk
Gast #1588282
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>Aber besser als der ULN2803, da Darlington.
Im Parallelthread wurde dieser Tage der Darlington etwas erörtert, auch 
die etwas weniger bekannten Komplementärschaltungen. Diese schaffen 
immerhin UBE von nur 0,7V (gegenüber 1,4V), Bei UCE kommt man bei allen 
Varianten auf 0,8V und sogar noch etwas darunter.

>Denn einen Bipolartransistor kann man je nach Typ mit genuegend
>basisstrom auf 50mV CE runter saettigen.
War auch diese Woche schon mal dran. Bei Inversbetrieb erreicht man 
sogar nur ein Zehntel davon.

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