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Aufsteuerzeiten für Leistungs-MOSFETS
Gast
#1711058
Hallo zusammen, mich würde interessieren, was in der Praxis gängige Aufsteuerzeiten für Leistungs-MOSFETS sind. Mal angenommen ist hätte einen großen MOSFET, ein Q-Gate von 420nC bei Vgs=10V, Id=200A und Vds=80V hat: Wie schnell werden die Gates in der Industrie typischer Weise aufgesteuert in Abhängigkeit von Verlustleistung und EMV-Anforderungen? Danke für eine Auskunft! HaJo Je nachdem ob "mehr Kühlköper" oder "mehr Entstörmaßnahmen" teurer sind ;) Und es macht natürlich auch einen Unterschied, ob der FET im Schaltnetzteil mit 100kHz werkelt, oder nur zweimal am Tag schalten muss. "Üblich" ist, wenn ich mal nach den letzten Appnotes gehe, die ich zu dem Thema gelesen habe: Keine zusätzliche Begrenzung des Gate-Stroms, kein Gate-Widerstand, der Gate-Treiber macht das schon richtig. Stattdessen: Gute FETs mit kleiner Gate-Charge, sauberes Layout. Ein ICL7667 Gate-Treiber z.B. hat etwa 4 Ohm Innenwiderstand, wenn man beide internen Treiber parallelschaltet. Bei 15V Betriebsspannung ist das Gate dann also in ca. 170ns von 0V auf 10V geladen. Das Entladen wird etwas länger dauern, vielleicht 300ns, weil das Gate bis auf ca. 2V entladen werden muss, damit der FET wirklich sperrt. Ich kenne mich mit EMV-Dingen nicht so aus, aber ich denke nicht dass es bei diesen Umladeströmen von max. ca. 4A schon EMV-Probleme gibt. Die EMV Probleme entstehen nicht durch das Umladen des Gates - sie entstehen auf der Lastseite, wo die Ströme noch größer sind und u.U. auch noch Induktive Lasten getrieben werden. Gruß, Marcus
Gast
#1711173
Hallo zusammen, ich bräuchte hier wirklich fundierte Erfahrung aus der Praxis. Die Schaltfrequenz liegt bei ca. 18kHz. EMV ist zweitrangig. Anders gefragt: Wie schnell darf ich den MOSFET den "Aufreißen"? Aktuell plane ich mit Treibern, die mit +-5A umladen. Grüße, Hajo
Gast
#1711175
Wenn EMV wirklich zweitrangig ist, dann wird das wohl so passen mit den 5 Ampere. hajo72 (Gast) : EMV Probleme sind keine abgehobenen Akademikerfuerze, sondern sehr realistisch. Das kann zB bedeuten dass der Controller aufgrund der eingestreuten Felder hin und wieder selbst restettet, oder sonstwie unzuverlaessig laeuft. 5A am Gate ist schon recht heftig. Eine Frage des Layouts, ob das gutgeht.
Gast
#1711265
bisher meist nur Gequatsche hier. Ich brauche Zahlen und Erfahrungswerte, nicht eines jeden Senf. Vielen Dank.
Gast
#1711280
[senf] Hast du schon mal was davon gehört, den Ball flach zu halten? Würde mich wundern, wenn du noch eine qualifizierte Aussage bekommst. [/senf]
Gast
#1713148
Früher haben sich hier Leute getummelt, die nicht nur heiße Luft von sich gegeben haben. Schade. Du verlangst eine konkrete Antwort auf eine unkonkrete Frage und bist beleidigt, wenn du sie nicht bekommst. Je nach Anwendung, Aufbau, etc können 20ns oder 1µs Schaltzeit richtig sein. Wenn du z.B. deine 200A in 50ns schalten willst, solltest du schon ein ganz klein wenig deine Streuinduktivitäten im Auge haben, die kennen wir leider nicht, deswegen kam dazu auch kein Tip. Da hilft auch kein rumplöken. Wir wissen ja nichtmal welche Spannung du schalten willst! Wir wissen auch nicht, ob du eine Induktive oder eine Kapazitive Last schalten willst. Wir wissen auch nicht, falls induktiv, welche Freilaufdioden du denn verwendest, auch danach richten sich die Schaltzeiten. Vielleicht machst du ja auch ZVS oder gar ZCS, wissen wir auch nicht... ich könnte jetzt noch gefühlte 30 weitere Punkte anführen. Hier im Forum sind ein paar Leute unterwegs die Experten in Leistungselektronik sind, man muss sie nur mit interessanten, ausführlichen Fragen anlocken. Nimm dir mal ein Beispiel am Induktionsöfen-thread. @ 100A in ~60 ns gingen neulich bei mir ohne EMV-Probleme ganz vorzüglich, am Layout hab ich aber länger gesessen... Antwort schreiben |
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