Richtig gut funktioniert das Transmission-Gate nur, wenn der Substrat-
anschluss der Mosfets auf VCC (P-Kanal) bzw. GND (N-Kanal) gelegt wird:
http://de.wikipedia.org/wiki/Transmission-Gate
Ist der Substratanschluss, wie bei diskreten Mosfets üblich, mit Source
verbunden, ist die Signalspannung auf etwa VCC/2±0,3V begrenzt, da sonst
die BS-Dioden leitend werden.
Im Anhang habe ich drei Fälle mit LTSpice simuliert:
1. Schaltung wie bei dir, Signalamplitude ist groß (2V)
-> Transmission-Gate sperrt nicht richtig.
2. Schaltung wie bei dir, Signalamplitude ist klein (0,3V)
-> Transmission-Gate funktioniert korrekt.
3. Verwendung von Mosfets mit getrenntem Substratanschluss,
Signalamplitude ist groß (2V)
-> Transmission-Gate funktioniert korrekt.
Die 1MΩ-Widerstände sind dazu da, dass sich bei sperrendem Gate eine
definierte Ausgangsspannung (6V) einstellt.