Hochspannungsschalter mit FET

frank Gast #165159
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Hallo,

Ich habe das Problem verlustarm mit einem P-MOS eine Spannung auf einen
Kontakt zu schalten. Die Spannung liegt im Bereich von ca. 3 bis 150V.
Mit einem Bipolar-Transistor kein Problem. Doch bei hohen Spannungen
fließt durch die Basisbeschaltung des Transistorschalter ein doch
relativ hoher Strom. Mit einem p-Kanal-FET habe ich aber das Problem,
das die max. Gate-Source-Sapnnung bei ca. 20V liegt.

Wie kann ich das Problem auf einfache Weise lösen ?
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TravelRec. Gast #165163
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Äh wie jetzt, soll der FET die Spannung von 150V schalten oder sollen
200V den Fet schalten? Spannungsteiler am Gate? Z-Diode 12V über
Widerstand 100k an´s Gate? Denke, das sollte kein Problem sein.
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frank Gast #165165
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Die Betriebsspannung liegt bei 3V, die geschaltete Spannung bei eben
3-150V. Die Schaltzeit sollten im Bereich von 1..5µs liegen.

Die bisherige Lösung arbeitet mit einem PNP-Transistor. Das Problem
sind die Ströme bei 150V am Basisspannungsteiler. Ein FET wäre da
günstiger. Das Problem ist aber die begrenzte Gate-Source-Spannung von
20 V.
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Hauke Radtki Gast #165167
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wenn du eine betriebsspannung von 3V hast, und ne spannung von 3-150V
schalten willst, musst du dir doch nur noch irgendwie (step up oder so)
ne spannung von ca 12V basteln, damit die fets auch richtig
durchschalten weil du schaltest ja nicht GATE-Source sondern
Drain-Source .. und da sind die teile wesendlich spannungsfester! (je
nach typ)
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TravelRec. Gast #165168
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Nuja, das wollte ich sagen, fließt doch keine Spannung aus dem Gate
heraus sondern nur eine ´rein, hat also mit dem Hochspannungszweig nix
zu tun, was Du am Gate machst (zumindest solange der FET heile ist).
Guckst Du nach 400V-Typen und packst zw. 6-12V auf das Gate (negativ
gegenüber Source bei P-Typ) für eingeschaltet und keine Spannug für
ausgeschaltet. Ein R von 4k oder so zwischen Source und Gate hilft, daß
der FET schnell sperrt.
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