Der MOSFET funktioniert über die Ladungen die sich im Halbleiter unter
der Gate Elektrode ansammeln. Die Ladungen sind gerade das Gegenstück
zur Gate Ladung. Damit man für die Ladung keine unendliche Spannung
braucht, braucht man halt eine Kapazität für das Gate.
Die modernen MOSFETs sind recht schnell. Da reichen ggf. die
Induktivitäten von ein paar cm Leiterbahn um signifikante Induktivitäten
und ggf auch LC Resonanzen zu bekommen. Wenn man nicht darauf achtet wie
das Layout auch für Frequenzen bis in den 100 MHz Bereich reagiert, kann
es leicht passieren das man unabsichtlich einen Oszillator hat. Mit dem
Widerstand am Gate reduziert man die Verstärkung bei hohen Frequenzen
und verhindert so ein Schwingen bei den ganz hohen Frequenzen - um die
kleinen, so unter 1 MHz muss man sich trotzdem noch kümmern, aber das
ist einfacher.