Natürlich... **lol**
So ein Austausch macht aus dem Ding eine Halbbrückenschaltung, mit all
ihren Problemen. Der invers betriebene untere FET muß komplementär zum
oberen FET betrieben werden, dabei müssen Totzeiten eingehalten werden
(wenn beide FETs gleichzeitig leiten dann dampft's) und es sollte auch
kein Strom rückwärts durch die Spule (vom Ausgang über Spule und den
unteren FET zur Masse) fließen. Prinzipiell ist dieser Betrieb zwar
möglich, aber ich denke das verringert den Wirkungsgrad und erhöht die
Welligkeit der Ausgangsspannung.
Der untere FET sollte auch einen sehr kleinen Rds(on) und eine kleine Qg
haben, sondest relativieren ich die Einsparungen im Vergleich zu einer
guten Diode recht schnell. Verlustfrei leitet der FET schließlich auch
nicht und der zusätzliche Treiber erzeugt in Verbindung mit der
Gate-Charge zusätzliche Schaltverluste.