MOSFET mit oder ohne R ansteuern

Hallo,
solange es nicht um höhere Schaltfrequenzen geht, brauchst du keinen 
Widerstand in Reihe zum Gate. Man sollte aber einen hochohmigen 
Widerstand (ca. 100k) vom Gate nach Masse schalten, damit der FET beim 
Reset o.ä. des µC sicher sperrt. Siehe Relais mit Logik ansteuern

Bei höheren Frequenzen, wie PWM und so, würde ich eine Treiberstufe 
hinter dem µC vorsehen.

Gruß Johannes

Das kommt darauf an, welchen Ausgangswiderstand der µC Pin besitzt.

Je höher die Sperrspannung des FETs, desto größer sind auch die 
Millerkapazitäten, das ist geometrisch bedingt da der Kanal dann weiter 
wird. Entsprechend wird der Port auch mehr belastet werden da im 
zeitlichen Mittel mehr Strom fließt.

Was ich damit sagen will, für Kleinsignal Angelegenheiten kann man es 
durchaus so machen. Für Anwendungen in der Leistungselektronik sollte 
man es nochmals überdenken. Zudem kann man mit dem Gatewiderstand und 
dem Gate Charge über Zeit Diagramm aus dem Datenblatt des Mosfets die 
Ein-/Ausschaltdauer abschätzen und kontrollieren. Damit kann man 
Resonanzen abdämpfen und ein paar gängige EMV Probleme drücken.

Was willst du denn genau machen mit deinem Transistor?