SLC & MLC Speichermatrix Auswertung

/\nalog Gast 28.01.2013 16:06 #3019824

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Hallo an alle,

In den FGMOSFETs neuester Generation beträgt die Kantenlänge der 
quadratischen isolierten Gates gerade einmal 10nm. Jetzt frage ich mich: 
Die Ladungsmengen, die dort gespeichert sind, sind doch so minimal, wie 
kann man den Drain-Source Widerstand überhaupt noch effektiv von der 
ungeladenen Variante unterscheiden? Besonders bei Mult-Level Cells? Wie 
wird so etwas ausgewertet?

Danke schonmal

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/\nalog Gast 29.01.2013 18:54 #3021728

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Keiner weiß was?

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Rufus Τ. F. (rufus) 29.01.2013 19:23 #3021762

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Da wir hier alle Flash-Chip-Hersteller sind, werden wir uns hüten, 
derartiges Wissen preiszugeben.

Deine Frage ist vielleicht ein bisschen zu speziell, meinst Du nicht?

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/\nalog Gast 29.01.2013 19:51 #3021811

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Dachte ich mir schon, da ich nichts im Internet dazu finden konnte. Aber 
was meint ihr? Extrem empfindliche Verstärker?

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