So schreibt man deine Frage auf Deutsch:
> Ich habe 3 Mosfet mit unterschiedlichen Daten.
> Ich möchte wissen, welcher davon schneller ein-/ausschaltet
> bei ansonsten gleicher Bestückung.
Je kleiner die Gate Charge, um so schneller schalten sie
bei gleichem Gate-Umladestrom.
> wie kann ich die Einschalt- und Ausschaltzeiten
> abhängig von den Widerständen anpassen?
MOSFETs lassen sich weder mit EIN/AUS-Impulsen steuern,
es sind keine bistabilen Relais, und ein ASIC hat selten
genug Spannung um sie überhaupt einschalten zu können.
Wenn man einen Ausgang hat, der 10V (oder 5V bei LogicLevel
MOSFETs) liefert wenn sie eingeschaltet sein sollen und 0V
sonst, dann kann man über Dioden unterschiedliche Gate-
Vorwiderstände verwenden:
+--|>|--R1--+
| | |
Steuerausgang --+ +--|I N-Kanal MOSFET
| | |S
+--|<|--R2--+ GND
R1 ist für die Einschaltzeit, R2 für die Auschaltzeit.
Ist ein Widerstand immer grösser, kann dessen Diode
entfallen. Hat man einen LogicLevel-MOSFET und 2
Ausgänge die auch hochohmig werden können, kann man
Pin1 (high oder tri-state) --R1--+ |
+--|I LogicLevel MOSFET
Pin2 (tri-state oder low) ---R2--+ |S
GND
verwenden und in Software nur die Richtung (DataDirection)
der Pins gleichzeitig umschalten.
Schaltung.png
(4,8 KB)
