Gast
#3862027
Hallo ich befasse mich gerade mit einem Hochfrequenzverstärker. Genauer gesagt möchte ich ein 500 MHz Signal verstärken. Einen passenden Transistor dazu habe ich auch. Und ich habe auch schon Verstärker für solche Frequenzen gebaut. Es ist allerdgins etwas länger her und mir ist die Theorie nicht mehr ganz so geläufig, deshalb ersuche ich hier um einen Denkanstoss, welcher mich wieder in die richtige Richtung bringt ;-) Also ich habe das Buch von Pozar "Microwave Engineering" hier. Dort werden für HF-Verstärker verschiedene Formeln angegeben. Für mich interessant ist die Formel für den 'Maximum available Gain', denn diesen will ich aus dem Transistor raus holen. Vorerst habe ich mit dem Rollet-Krieterium und dem mu-Kriterium geprüft, ob mein Transistor auch stabil ist. Das trifft zu. Er ist unbedingt stabil, und zwar in einem breiten Band um meinen gewünschten Frequenzbereich herum. Soweit also gut. Jetzt möchte ich die Anpassnetzwerke für den Eingang und den Ausgang berechnen. Ich habe dazu aus dem Pozar die angehängten Formeln entnommen. Damit kann ich den Reflexionskoeffizienten am Eingang (Gamma s, weil s für source steht) und den Reflexionskoeffizienten am Ausgang (Gammas l, weil l für load ist) berechnen. Was mir aber nicht ganz klar ist: sind das die Reflexionskoeffizienten, die ich dem Transistor präsentieren muss, damit er diesen Gain bringt, oder sind es die Reflexionskoeffizienten, die er bringt und meine Schaltung muss das konjugiert komplexe davon liefern? ich steh grad auf dem Schlauch. Angenommen ich habe Gamma s = 0.7, 90° Gamma l = 0.9, 45° wie sieht dann mein Anpassnetzwerk für 50 Ohm aus? mit L und C Bauteilen. Ich blicke grad nicht mehr durch :-/
Angehängte Dateien:
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refl.png
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