HF-Verstärker Simulation(QUCS)

Christopher G. OP #3882429
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Guten Abend zusammen,

es geht um meine Bachelorarbeit. In meiner Arbeit geht darum einen 
aktiven Empfangsdipol für den UHF-Bereich zu "bauen".
Die Antenne habe ich bereits zusammen gebastelt(Faltdipol) und 
durchgemessen(s11-Parameter).
Ich habe mir den Transistor BFU520W ausgesucht, da die Antenne rauscharm 
sein muss aber keine allzu große Verstärkung liefern muss.

Alle Simulationen führe ich mit dem Programm QUCS durch. Die Simulation 
funktioniert wenn ich nur mit dem Transistorkristall simuliere 
einwandfrei. Sobald ich Transistorgehäuse miteinbeziehe, dann habe ich 
keine Verstärkung, sondern eine Abschwächung des Signals. Eine 
Beispielschaltung für ISM433 ist im Datenblatt angegeben, diese benutze 
vorerst auch.

Hat jemand eine Idee warum die Simulation mit dem Transitorgehäuse nicht 
wie gewünscht funktioniert?
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Helmut S. #3882561
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Hallo Christopher,

Hier mal deine Schaltung mit LTspice. Einfach alle Dateien nach C:\Test 
kopieren und dann den Schaltplan(.asc) mit LTspice öffnen.

Zeig mal deinen Schaltplan den du in Qucs eingegeben hast. Vielleicht 
hast du ja etwas falsch abgezeichnet.

Gruß
Helmut
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Helmut S. #3882618
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Selbstverständlich habe ich das Subcircuit Modell verwendet. Das ist 
doch in dem File .PRM drin. Es enthält die Zuleitungsinduktivitäten und 
die Kapazitäten.




* Filename:  BFU520W_GP_SPICE.PRM
* BFU520W SPICE MODEL
* NXP  SEMICONDUCTORS    version 1.0
* Date: November 2013
*
* PACKAGE: SOT323 DIE MODEL: BFU520D
* 1: COLLECTOR; 2: BASE; 3: EMITTER
.SUBCKT BFU520W 1 2 3
Q1 6 5 7 7 BFU520D
* SOT23 parasitic model
Lc_wire    9 6 360p
Lb_wire    4 5 800p
Le_wire    7 8 950p
Lc_lead    1 9 90p
Lb_lead    2 4 0.001p
Le_lead    3 8 0.001p
Ccb    4 9 65f
Cbasepad  5 6 215f
Cbe    4 8 45f
Cce    8 9 45f
Cemitterpad  6 7 235f
*
.MODEL  BFU520D   NPN
+IS    71.49E-18
+BF    133.81
+NF    1.00
+VAF    183.69
+IKF    252.72E-3
+ISE    89.40E-15
+NE    2.50
+BR    512.49E-3
+NR    1.00
+VAR    2.40
+IKR    31.59E-3
+ISC    71.49E-18
+NC    1.10
+RB    1.17
+IRB    26.78E-3
+RBM    0.67
+RE    0.59
+RC    0.89
*+IMAX    2.00
+CJE    506.04E-15
+VJE    950.00E-3
+MJE    335.33E-3
+CJC    74.16E-15
+VJC    720.00E-3
+MJC    318.44E-3
+XCJC    0.50
+FC    850.00E-3
+TF    10.04E-12
+XTF    10.00
+VTF    1.00
+ITF    42.55E-3
+PTF    0.00
+TR    0.00
+KF    109.67e-12
+AF    2.00
.ENDS
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Helmut S. #3882696
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Um das Subcircuit eines Transistors zu verwenden benötigt man ein 
Subcircuit-Symbol.

Dazu das normale Transistorsymbol "npn" in den Schaltplan einfügen. Dann 
den Kursor auf das Transistorsymbol legen. Ctrl halten und die rechte 
Maustaste klicken. Damit kommt ein Dialogfenster.

Prefix:Q

ändern zu

Prefix:X


Durch das X ist das jetzt ein Symbol für ein Subcircuit.
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