MOSFET Schaltung und Überstromabschaltung

OP #266406
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Hallo,

ich plane die Relais-Steuerung einer Lampe 12V/60W durch einen MOSFET
zu ersetzen und würde  natürlich gerne bei diesem Schritt auch die
herkömmliche Sicherung eliminieren.

Wie baut man nun eine solche Überstromabschaltung?

Der FET muss aus Sicherheitsgründen zwischen V+ und Last, damit die
Zuleitung zur Lampe im ausgeschalteten Zustand spannungsfrei bleibt.
Die Spitzenbelastung im Einschaltmoment muss die Schaltung natürlich
ignorieren, aber bei Überstrom (z.B. Kurzschluss gegen Masse) den Zweig
zuverlässig trennen.

Auch frage ich mich ob es sinnvoll ist einen LogicLevel-FET direkt mit
meinem HC08 zu betreiben, oder ob ich sicherheitshalber µC und
Schaltstufe per Optokoppler trennen sollte?


Gruß
Christian
Gast #266408
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Das Datenblatt verraet es dir ;)

http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/ir3310.pdf
Erster Hinweis ..
Ishutdown 10 to 100A

Zweiter Hinweis:
1) Limited by junction temperature. Pulsed current is also limited by
wiring
2) <500 Ohm or shorting Ifb to gnd may damage the part with Isd around
120A
3) >5000 Ohm or leaving Ifb open will shutdown the part. No current
will flow in the load.

Irgendwo muesste noch der Widerstand definiert sein..
Gast #266413
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IPS521 vielleicht? Als "G" Typ auch im SO8 als SMD. Hier ist der
Dauerstrom allerdings durchs Gehäuse auf 1.6A Limitiert. in der TO220
Version aber überhaupt kein Problem. Wird seit langem von mir
eingesetzt und ist nicht kaputt zu kriegen.
AxelR.

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