IGBT in NPT-technology: wie testen?

(Firma: matzetronics) #5090933
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Erst mal rundeherum auf Kurzschlüsse prüfen. Wenn sich da nichts zeigt, 
Ohmmeter mit dem Pluspol an C und dem Minuspol an E. Statische 
Entladungen aufs Gate vermeiden.
Mit dem nassen Finger C mit Gate verbinden - IGBT sollte leitend werden 
(vorausgesetzt, dein Ohmmeter stellt eine ausreichende Messpannung 
bereit) und sollte auch leitend bleiben, wenn du den Finger wegnimmst.
Nun mit dem nassen Finger Gate mit E verbinden - IGBT muss sperren.
Die höchste Messspannung gibts bei DMM im allgemeinen im Diodentest- 
oder niedrigsten Widerstandsmessbereich.
Ansonsten kleinen Messkreis mit 12V Quelle und kleinem 12V Lämpchen 
aufbauen und den IGBT da einfügen. Den nassen Finger kann man auch durch 
einen 10k-100k Widerstand ersetzen.
Gast #5090947
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Ich hänge sowas immer an den Componententester von meinem Oszi. Manchmal 
sind FETs durchgeschlagen, tun aber noch so ganz grob was Sie sollen.

Aufm Oszi sieht man dann, dass die nen Durchbruch hatten.
Gast #5091517
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1.
G-E Kurzschliessen
Ohmisch und im Dioden-test C-E und E-C messen.


2.
C-E Kurzschliessen
2.1 Ohmisch G-E und E-G messen.
    (Sollte bei gutem IGBT >20MOhm sein.)
2.2. die Gatekapazität messen (G-E und E-G)

Werte notieren und mit known good device vom gleichen Typ vergleichen.

Um was für einen IGBT handelt es sich denn?

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