Flash Speicher Theorie

Hallo,

ich habe bezüglich des Flash Speichers, wie er in vielen Mikrocontroller 
als Programm und Datenspeicher vorkommt einige Fragen, die sich bisher 
nicht durch Literatur klären konnten.

Laut meiner Recherche existiert zum Löschen und Schreiben das Hot 
Electron Injection Verfahren. Alternativ zum Löschen das Fowler-Nordheim 
Tunneling.

Beide Verfahren benötigen eine relative hohe Spannung. Wobei relativ 
natürlich "relativ" ist. Meine Beschreibung weist hier 12 V aus.

Weis jemand, wie das jetzt bei den µC wie z.B den STM32FXXX oder 
AtmegaXX umgesetzt wird ? Im allgemeinen besitzen diese µC ja nur 3,3 
bzw. 5 V.

Grüße

Peter