TU Wien: Ge-Al-Si-Mosfet

Helge Gast #6925166
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Das könnte eine interessante Sache werden: Ein Mosfet mit 3 gates, 
dessen elektrische Eigenschaften sich steuern lassen. Die Hilfsgates 
lassen eine Änderung der Eigenschaften in weitem Bereich zu. Auch wenn 
die Forschung in Richtung CPU geht, das dürfte doch auch für 
HF-Anwendungen interessant werden.
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.1c06801
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