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TU Wien: Ge-Al-Si-Mosfet
Gast
#6925166
Das könnte eine interessante Sache werden: Ein Mosfet mit 3 gates, dessen elektrische Eigenschaften sich steuern lassen. Die Hilfsgates lassen eine Änderung der Eigenschaften in weitem Bereich zu. Auch wenn die Forschung in Richtung CPU geht, das dürfte doch auch für HF-Anwendungen interessant werden. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.1c06801
Gast
#6925260
stimmt :-) in diesem Artikel ist es leichter lesbar beschrieben :-) https://scitechdaily.com/revolutionary-new-intelligent-transistor-developed/
Gast
#6925345
Dual Gate gibt es schon seit dem letzten Jahrtausend. Nur ist hier anderes Material im Spiel.
Beitrag #6925439 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #6927346 wurde von einem Moderator gelöscht.
Gast
#6927361
Das könnte das richtige Bauteil für den Tri-Phase Computer von Raumschiff Enterprise sein ! Gibt es die Berichte auch auf deutsch?
Gast
#6927458
Gast
#6928407
Herr Mod, hier ist heute nichts zum loeschen. Vllt morgen. Antwort schreibenBitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben. |
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