Mosfet Spannungen

Niklas Gast #7337258
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Sorry für leihenhafte Frage. Es geht umn einen N Kanal Mosfet. Nehmen wir als Beispiel diesen: https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PMV30UN2.pdf

Im Datenblatt staht maximale drain-source Spannung, aber keine minimale. Genau so gate-source Spanung. Bis zu 12V.

Ich habe im meinem Beispiel drain-source Spannung von 3.3V. Es fließen ca. 2A, also ist mir wichtig, dass er komplett durchschaltet.

Die gate-source Spannung würde ich mit 5V über pull-up machen.

5V von gate-source sind höher als zu schaltenden 3.3V Ist das in Ordnung so?

Ich denke ja, aber wollte vorsichtshalber fragen. Danke

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Niklas Gast #7337280
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Und letze Frage: Wenn sich beim Mosfet der Massepunkt um beispielhafte +5v verschiebt. Dann wären am Drain 8,3V, Source 5V, Gate 0V (0v, weil der Transistor eine andere Bezugsmasse hat). Mosfet wird weiterhin sperren und nicht einen Schaden nehmen? Im Datenblatt steht Gate -12V. Wäre also legitim. Frage trotzdem. Ich kann gleich einen Schaltplan posten, wenn dieser fertig ist.

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Wolfgang Gast #7337286
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Niklas schrieb:

Im Datenblatt staht maximale drain-source Spannung, aber keine minimale.

Mach dir nichts draus, bei negativen Spannungen nimmst du besser einen P-Kanal MOSFET

Genau so gate-source Spanung. Bis zu 12V.

Wie meinst du das? Ich lese bei den Limiting Values bei V_GS in der Spalte "Min" einen Wert von -12V

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Wolfgang Gast #7337287
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Niklas schrieb:

Wenn sich beim Mosfet der Massepunkt um beispielhafte +5v verschiebt. Dann wären am Drain 8,3V, Source 5V, Gate 0V (0v, weil der Transistor eine andere Bezugsmasse hat). Mosfet wird weiterhin sperren und nicht einen Schaden nehmen?

Den MOSFET interessiert nur die Spannung zwischen seinen Anschlüssen. Vom Rest der Welt merkt er sowieso nichts.

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Lothar M. Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #7337447
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Wolfgang schrieb:

Den MOSFET interessiert nur die Spannung zwischen seinen Anschlüssen.

Und ihm ist sogar die Stromrichtung zwischen D und S egal.

Niklas schrieb:

weil der Transistor eine andere Bezugsmasse hat

Das solltest du jetzt aber mal genauer ausführen. Am Besten in einem Schaltplan.

Denn wenn du da 2 "Massen" aus 2 unabhängigen Schaltungen hast, dann sind die Potentiale zueinander erstmal undefiniert.

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Jörg B. #7337797
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Niklas schrieb:

Mosfet wird weiterhin sperren und nicht einen Schaden nehmen?

Wenn Du den MOSFET schrotten willst, dann probiere es mit einer Gate-Source-Spannung von 1 ... 1.3 V. 2A * 3.3V sollten das SOT23-Gehäuse zum Rauchen bringen. |Ugs|>>20V ist natürlich der einfachste Ansatz. Hart schaltend bei höherer Frequenz in einer Halbbrücke geht auch, ist aber mehr für Experten.

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