Impulsgenerator, Transistor in Sättigung?

Guten Tag,

innerhalb einer größeren Schaltung verwende ich die Schaltung des im Anhang gezeigten Impulsgenerators. Diese Schaltung erhält am Eingang eine fallenden 1 µs Impuls und soll aus dessen steigender/hinterer Flanke einen neuen Impuls generieren, ebenfalls 1 µs lang oder etwas kürzer.

Bei einer Betriebsspannung von 5 V stellt dies natürlich kein Problem dar. Nun verwende ich aber in meiner Schaltung 15 V, was hinsichtlich der Ube von Q2 möglicherweise problematisch ist. Zwar funktioniert die Schaltung (siehe unbearbeiteter Anhang), jedoch wird der negative Sägezahn an der Basis von Q2 nur etwa -5V groß (vermutlich Leckströme der Basis-Emitterdiode?).

Im Ruhezustand ist Q1 durchgesteuert, bis ein 1µs Impuls diesen sperrt. Dadurch lädt sich C1 auf +15V auf. Wenn nun der Impuls vorüber ist, steuert Q1 durch und entlädt C1. Auf der rechten Seite von C1 wird nun die Spannung auf (theoretisch) -15V heruntergezogen. Um nun Q2 vor dieser negativen Spannung zu schützen, ergänzte ich eine (Schottky)-Diode vor dessen Basis. Leider bleibt nun Q2 die ganze Zeit über durchgesteuert, selbst während der 1 µs, in welcher vor der Diode (praktisch) bis zu -10V anliegen. Kann es sein, daß der Transistor zuvor in die Sättigung geraten ist, und nun nicht schnell genug sperrt? Macht sich das bei 1 µs schon bemerkbar?

Ohne die Diode funktioniert die Schaltung, aber zum Wohle des Transistors und um den Sägezahn steiler zu machen, wollte ich diese gerne einbauen.

Wenn ich die Zeitkonstante übermäßig erhöhe (R3=1M; C1=100pF), beginnt der Transistor nach ungefähr 4 µs zu sperren.

Bei den Transistoren handelt es sich um BC547C. Gibt es für diesen Zweck besonders gut geeignete Transistoren? R3 hatte ich auf 10k und auf 100k ausprobiert, C1 entsprechend angepasst um auf 1 µs zu kommen. In beiden Fällen kein Unterschied.

Für geeignete Hinweise oder Schaltungsvorschläge bin ich sehr dankbar.