Ich habe einen Elektromagneten/Solenoid mit ca. 4.5 mH, 3 Ohm, der an 24V und bis ca. 2A betrieben wird.
Bei diversen "smarten" MOSFETs (z.B. Infineon BTT3018EJ https://www.infineon.com/assets/row/public/documents/10/49/infineon-btt3018ej-datasheet-en.pdf) gibt es eine Aktive Klemmung, siehe screenshots und DaBla. Im Grunde könnte man das aber auch diskret aufbauen.
Mir ist klar, wie das grundsätzlich funktioniert: durch die induzierte Spannung im Abschaltmoment wird die Zenerdiode leitend und zieht das Gate wieder über U_GS(th) und schaltet den FET teilweise ein. Er arbeitet somit kurzfristig als Widerstand und verheizt die gespeicherte Energie aus der Induktivität (stark fallender Strom x Klemmspannung x Zeit). Dadurch baut sich das Magnetfeld schneller ab als mit einer Freilaufdiode (wichtig für mich, weil ich den Solenoid mit einer Feder schneller wieder zurückstellen möchte).
Nimmt der MOSFET dabei Schaden, selbst wenn er sich nicht stark erwärmt? Wie hängt das mit dem E_AS Parameter zusammen und weshalb macht es einen Unterschied ob es ein einzelner oder ein sich wiederholender Puls ist? Ist nach dem einzelnen E_AS Puls der FET gerade so noch nicht kaputt (einen zweiten Puls würde er nicht mehr aushalten)? Oder gelten diese Parameter nur wenn es keine Aktive Klemmung gibt?
