Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen?

trude Gast #477371
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suche eine Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen, am einfachsten
wäre eine Z-Diode parallel zu Gate-Source, aber die können zu wenig
Strom.

Hat jemand schon mal so was aufgebaut?

(siehe auch: Beitrag "Mosfet-Treiber so in Ordnung ?")
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Falk Gast #477409
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>suche eine Möglickeit Gate-Source Spannung zu begrenzen, am einfachsten
>wäre eine Z-Diode parallel zu Gate-Source, aber die können zu wenig
>Strom.

??? Es gibt 1,3W Z-Dioden bei Reichelt. Passender Vorwiderstand (oder 
besser Stromquelle) und fertig.

MFG
Falk
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trude Gast #477417
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@Tim, ja genau dass Problem ist die hohe Eingangsspannung und dass ich 
dass Gate jeweils nach Masse ziehe beträgt Ugsmax = 35V

was meinst du mit "Besser zum Gate treiben eine separate 12 V Spannung 
verwenden?"
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Uwe N. #477430
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Diese Schaltung taugt nur für Versorgungsspannungen, die die maximale 
Vgs der FETs nicht überschtreiten.
Nehmen wir mal an, die wäre 15V, dann muss der Vorwiderstand, das ist 
der mit 100 Ohm, die 20V Differenz zwischen 35 und 15V verbraten. Dabei 
fliesst ein Strom von 200mA durch ihn hindurch und heizt ihn mit 4W!
Der Strom fliesst weiter durch die Z-Diode, die verbrät nochmal 3W. Die 
Treibertransistoren dürften bei 200mA auch an ihre Grenzen kommen.
Passende Teile gibt es zwar, aber du willst sicherlich nicht 7W 
Steuerleistung verbaten, oder?
Man bräuchte für jeden FET eine Z-Diode zwischen Gate und Source, der 
Vorwiderstand muss auch zweimal eingebaut werden.
Das wird so nichts, überleg dir eine andere Schaltung, eventuell mit 
einem Halbbrückentreiber von IR.
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