Hallo! Ich bin auf der Suche nach einem selbstsperrenden N-Kanal FET der eine möglichst geringe Gate-Source Spannung zum Duchschalten braucht. Kann mir da jemand was empfehlen? Das Teil soll als Schalter dienen und sollte bei einer GS-Spannung von 0,8V mindestens 20mA durchlassen. Nachtrag: Die Drain-Source Spannung ist sehr gering (<1V) Danke!
Gast
#518224
Ich meine, NXP ( früher Philips) macht derzeit Reklame für einen FET mit sehr niedriger Gatespannung. Ich finde lleider die Annonce gerade nicht.
Gast
#518227
Könnten aber auch diese bipolaren gewesen sein, die beworben wurden: http://www.nxp.com/news/content/file_1314.html
Torben K. wrote:
> sollte bei einer GS-Spannung von 0,8V mindestens 20mA durchlassen.
Wie belastbar ist diese Spannung denn ?
Was spricht dagegen einen Transistor vorzuschalten.
Gast
#518267
> sollte bei einer GS-Spannung von 0,8V mindestens 20mA durchlassen. Dafür sind die µTrenchMOS™-FETS von NXP geeignet: http://www.nxp.com/products/discretes/power_mosfets/trenchmos/index.html