Ich schlage mal vor:
- Z-Diode 3,3V in Serie zu R5, so dass Q3 erst ab ca. V2 = 2.1V zu
leiten beginnt.
- Si-Diode in Reihe zu R4
- der Z-Zustand wäre bei 2.1V < U2 < 3.8V, daher den Eingang auf ca. 3V
mit Spannungsteiler vorspannen.
- an Q1 und Q3 empfehlen sich je ein Widerstand zwischen B und E (ca.
20k bei Q3, ca. 10k bei Q1).
Alternativ:
- für Q3 einen NPN nehmen, Collector über R3 an +5V
- für Q2 einen NPN nehmen, Collector über R1 an +5V, Basiswiderstand 1k
- Z-Zustand dann zwischen 0.6V und 4.4V, daher Eingänge mit
Spannungsteiler 10k-10k auf Mitte ziehen. Mit ev. zusätzlichen
Basisdioden Z-Bereich kleiner machen.
Ist da für dich was dabei?
Warnung: ich habs nicht aufgebaut und getestet ... ;-)