Gast
#760455
Hallo, mich würde mal interessieren, ob es zuverlässig ist, wenn ich einen n-Kanal MOSFET wie folgt prüfe: Ohmmeter zwischen Gate und Source und zwischen Gate und Drain -->einige Megaohm Ohmmeter zwischen Drain und Source --> einige Megaohm 12V über 1KOhm zwischen Gate und Source Dann den Drain-Sourve-Widerstand messen --> 10 Milliohm Kann ich mit dieses Prüfung davon ausgehen, dass der MOSFET einwandfrei funktioniert, oder kann sich ein Teildefekt eingeschlichen haben, z.B. durch Spannungspeaks am Gate. Grüße Thomas