Hallo,
suche einen N-Kanal Mosfet, der von einer 5V Schaltungen geschaltet
wird,
und eine Last von 500mA betreiben soll (er sollte schon bei 4-4,5V
schalten).
TO92 Bauform oder ähnlich (kein SMD).
Kann mich da jemand in die richtige Richtung schubsen?
@ Werner Kargemeier (Gast)
>da steht allerdings Gate Threshold Voltage Typ 2V, Max 3V,>heisst das, daß ich das bei 5V nicht betreiben darf?
???
Das heisst, dass er bei 2V, spätestens 3V anfängt durchzusteuern. Bei 5V
ist er schon ganz gut offen, 10V sind noch ein wenig besser. Siehe
Ausgangskennline (ID über UGS).
MFG
Falk
Hallo,
der BS170 hat einen zu hohen ON-Widerstand. Nimm einen anderen, z.B.
IRLZ34, der ist recht günstig, hat einen kleinen ON-Widerstand und kann
direkt angesteuert werden. Falls du damit PWM machen willst solltest du
aber einen Treiber vorsehen. Schau mal nach dem Datenblatt.
PWM möchte ich nicht machen,
möchte nur einen Verbraucher schalten,
wichtig wäre die Bauform, TO-220 vom IRLZ34 ist eigentlich zu gross,
so viel Strom brauche ich auch nicht (der schafft 30A, brauche nur
0,5A),
sollte daher schon TO-92 sein.
Der BS170 hat in der Ausgangskennlinie 0,7A bei 5V, das wäre doch dann
eigentlich OK, oder?
Jetzt sehe ich gerade, die Pmax ist 0,35W,
bei 500mA und 5V bin ich da ja eigentlich deutlich drüber....
Muss wohl dann doch auf etwas mit grösserer Bauform gehen...
@ Werner Kargemeier (Gast)
>Der BS170 hat in der Ausgangskennlinie 0,7A bei 5V, das wäre doch dann>eigentlich OK, oder?
Bei 500mA fällt ca. 1V über dem Transistor ab, macht 0,5W
Verlustleistung. Das ist für TO92 grenzwertig. Nimm lieber einen IRF im
SO8 Gehäuse, z.B. IRF7301.
MFG
Falk
Wenn es dir nichts ausmacht, dass im BS170 etwa 1V draufgehen und er
infolge dieser 500mW ohne zusätzliche Kühlung durchbrennt, dann kannst
du ihn nehmen.
Anonsten such die einen MOSFET in SMD-Gehäuse.
Falk Brunner wrote:
> Bei 500mA fällt ca. 1V über dem Transistor ab, macht 0,5W> Verlustleistung. Das ist für TO92 grenzwertig.
Das ist mehr als grenzwertig, weil der ON-Widerstand bei 500mW auf 2 Ohm
ansteigt, was die Leistung auf 1W steigert, die Temperatur damit auf
fast 200°C, was den ON-Widerstand...
IRLD 024 PBF N-Kanal Logiclevel FET 60 V, 2,5 A, 100 mOhm von
International Rectifier. Allerdings im DIP4.
oder noch dicker: IRLU 120 NPF Logiclevel FET 100 V, 10 A, 185 mOhm,
TO251AA, also wie TO220, aber kleiner
schau doch mal auf die irf-seite. die haben ne sehr gute suche, bei
denen du alle deine kriterien einstellen kannst.
unter den ersten 5 schaust du dann, welchen es beim händler deines
vertrauens gibt ^^
Die Seite ist ja schon ganz gut,
jetzt gibt es 82 Bauteile in iPak,
https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672+4294849797
Bin etwas verloren mit den vielen Parametern!
Könnte mir jemand helfen?
Das Teil sollte bei 5V Öffnung ca. 350-500mA liefern,
möglichst günstig sein und die Hitze vertragen können.
Brauch kein PWM, Hochfrequenz oder was auch immer,
es wird einfach nur eine Last an oder aus geschaltet.
Hallo,
wenn es möglich ist, sollte man einen FET nicht mit
5 Volt schalten. Besser sind FET's, die eine höhere Spannung benötigen
um zu leiten, da diese Transistoren weniger Schwingneigung zeigen.
Also Logic-Pegel FET's nur mit Vorsicht einsetzen. (Masse,
Leitungsführung, Kondensatoren ...)
Gruß
Fritz
@ fritz: gähn! es geht hier ums schalten und nicht um ein
ptat-netzwerk mit mos... also bitte...
@werner: mit was für parametern hast du denn probleme?
die angegebene reversspannung muss halt größer sein als die, die in
deiner schaltung über dem fet in abgeschaltetem zustand anliegt.
der drain-strom kann dir wohl ziemlich egal sein, die können alle
wesentlich mehr, als du brauchst.
selbes gilt für dissipierte leistung P_diss
R_DS_on? widerstand der drain-source-strecke. na was wohl, je niedriger,
desto besser. könnte man also mal aufsteigend sortiert werden.
thermal resistance R_th? über den thermal-widerstand findet sich
wirklich genug im internet...
Hallo Werner,
wenn du einen FET anwenden willst solltest du dir erst mal eine
Beschaffungsquelle suchen die welche hat und dich auch beliefert.
Einige Vorschläge hier kannste knicken da die angegeben Werte von 0,5 A
und 5V deine Betriebswerte sind,wogegen die Werte der Halbleiter
meist Grenzwerte sind.Der BS 170 sollte da vom Strom her völlig
ungeeignet sein.Ein FET mit einem vielfachen deiner Betriebswerte ist
bei der Auswahl
stets vorzuziehen. zB. 30 V 2A o.ä.
Um die Verlustleistung niedrig zu halten achte auf eine geringe VDS
Spannung im Einschaltzustand(on) z.B.0,25 V oder so.
Sonst kann es passieren das das Bauteil was du damit betreiben willst
nicht das tut was es soll weil am Transistor zuviel Spannung abfällt.
Die Werte bei icf,wo du nicht durchsteigst sind Kennwerte zum Vergleich
D=Dräin
G=Gate
S=source
z.B.VDS=Voltage Drain Source =max. Dräin-Source-Spannung
aber,es ist sinnvoller,sobald du dir einen mit geeigneter Spannung und
Strom ausgesucht hast dich bis zum Datenblatt(pdf) durchzuklicken.
Da findest du dann Daten wie Gate threshold Voltage
(Steuerschwellenspannung) wo du dann entnehmen kannst bei welche
Spannung so ein Transistor durchsteuert.
Ich finde die Datenblätter jedenfalls sehr viel Aussagekräftiger.
Hoffentlich konnte ich was Geistreiches dazu beisteueren(hehe).
Irrtum vorbehalten
Gruß
martin