EGS wrote:
> Auf der ersten Seite befindet sich bereits die Auflösung, das
> Transistormodul ist ein "insulated type"
>
> IGBT= Insulated Gate Bipolar Transistor (ein isoliertes Gate als Schutz)
> sogesehen ein Hochleistungstransistor.
>
> Dein Transistormodul ist auch so einer.
Du bringst gerade etwas durcheinander. In dem Datenblatt bezieht sich
das Insulated wohl eher auf die isolierte Befestigungsplatte.
Der alte Transistor ist ein ganz normaler Bipolartransistor (ein
Darlingtontransistor um genau zu sein, um eine ausreichende
Stromverstärkung zu erreichen), und zwar 2 Stück in einer
Halbbrückenschaltung.
> (ein isoliertes Gate als Schutz)
Dieser Satz ist falsch. Ein IGBT besitzt einen Mosfet als Eingangsstufe,
es ist streng genommen auch eine Art Darlingtontransistor aus Mosfet +
bipolarem Transistor. Und ein Mosfet wird prinzipbedingt nunmal durch
ein elektrisches Feld gesteuert, daher ist das Gate isoliert.
Ausgangsseitig ist ein IGBT diesem Modul ähnlich, Eingangsseitig muss
die Ansteuerung aber komplett geändert werden, denn IGBTs werden durch
eine Spannung und bipolare Transistoren durch einen Strom abgesteuert.