Verluste eines IGBTs mit integrierter, antiparalleler Diode

Lies AN1403 von Semikron.

AN1403 ist mir bekannt, aber das klärt die Unklarheiten die ich habe ja 
nicht...oder ich überlese immer etwas

Die hauptsächlichen Wärmeverluste entstehen während der IGBT den Strom 
des Lastkreises abwürgt, bzw. wenn er aufsteuert, der Strom bereits 
fliesst aber er noch nicht voll auf ist.
Das ist derart von Deiner Schaltung abhängig das das IGBT DB dir das 
nicht sagen kann.

Beliebig schnell ist gerade ein IGBT auch nicht.
Den bekommst Du schnell auf, aber nicht schnell zu.

Bei 2V VCEsat ist ein Fet unter Umständen die bessere Wahl.
Hängt aber von Dingen ab die Du (noch) nicht erzählt hast.

Luca schrieb:
> Im Datenblatt
> werden nur die allgemeinen Ein- und Ausschaltenergien des IGBT erwähnt,
> aber es wird angegeben, dass die Energien auch die Verluste der reverse
> recovery der Diode enthalten. Meine Frage lautet:

Welche Diode ist da gemeint? (Tipp: Es ist nicht die integrierte.)

Wie, wann und wo entstehen durch sog. "Reverse Recovery" Verluste?

DAS scheinst Du leider alles nicht zu wissen. Und ohne Kenntnis der
Bedeutung von Reverse Recovery (und/oder wie "Freilauf" funktioniert
- ich bin nicht sicher, liegt es an einem davon oder beidem) versteht
man nicht bzw. weiß_man_nicht_automatisch was gemeint ist.


Hier hapert es an ähnlicher Stelle, vielleicht hilft dieser Hinweis:

Luca schrieb:
> Freilaufdiode

Für_welchen_Schalter (und bei welchen Endstufentopologien) kann diese
Diode als Freilaufdiode wirken...?

Prokrastinator schrieb:
> Hängt aber von Dingen ab die Du (noch) nicht erzählt hast.

Genausogut könnte er allein theor. Verlustberechnung betreiben, denn
ich "sehe" (lese zw. d. Zeilen) überhaupt nichts "projektbezogenes".

Es könnte beides sein, aber ich tippe auf Theorie.

Für beides fehlt aber mind. eine essentielle Grundlage zum Verständnis
(was ich schon erwähnte, Mechanismen Freilauf und/oder Sperrerholung).

FRED schrieb:
> ich tippe auf Theorie.

Sollte der TO Lust auf Beratung haben, müsste er uns erzählen was er 
eigentlich machen will.
Unterstelle ich das der IGBT im Schitt 10A sieht, wäre ein Mosfet mit 
0,2R dem im Schaltbetrieb bei gleichen Kosten überlegen.

Aber nichts genaues weiß man nicht und so wie sie gestellt wurde ist die 
Frage des TO auch nicht beantwortbar.
Vielleicht kommt da ja noch was.

>Meine Frage lautet: Bedeutet dies, dass
>die Energien Eon und Eoff das Modul bereits vollständig
>charakterisieren, einschließlich IGBT und Freilaufdiode?

Hallo Luca,
Eon: beim Einschalten fließt durch den IGBT zusätzlich noch der 
Rückstrom der Freilaufdiode, das ist gemeint.
http://www.zth-messtechnik.de/schaltmessung--doppelpuls-.html
(Bild links unten)

>Kann ich einfach eine Parallelschaltung des
>thermischen IGBT-Widerstands und des thermischen Diodenwiderstands
>annehmen? (und dann mit der Gesamtleistung des Moduls multiplizieren)

Für eine genau Berechnung fehlt dir noch die thermische Verkopplung zw. 
IGBT und Diode !

Schau dir bei Infineon das PSpice-Modell an
Datenblatt : •completeproductspectrumandPSpiceModels:

Gruß
Walter

Der IGBT wird einer Drehstrombrückenschaltung betrieben. Die 
Durchlassverluste sind ja kein Problem, hier kann ich Diode und IGBT ja 
schön getrennt über ihre Durchlasskennlinien betrachten.
Die Schaltverluste charakterisieren sich beim IGBT ja durch die Ein- und 
Ausschaltenergie. Bei der Diode entstehen sie durch die recovery Energie 
beim Abschalten. Wenn ich es korrekt verstanden habe, entsteht die 
Messung von Eon und Eoff des IGBT Moduls ja mit einem zweiten 
identischen Modul. Und hierbei wird beim Einschalten des IGBT (bei der 
Messung als Low-Side), bzw. damit ja gleichzeitig das Sperren der High 
Side-Diode und damit wird dann ja auch die recovery Energie dieser Diode 
bei der Bestimmung von Eon mitbestimmt. Für die Anwendung in einer 
Halbbrücke kann ich dann doch für die Schaltverluste (und ja es geht 
hier um eine theoretische Betrachtung der Verluste) Eon und Eoff nutzen 
für jeden IGBT und berücksichtige damit dann gleichzeitig die Reverse 
Recovery Verluste der bei den Schaltvorgängen jeweils beteiligten Diode.

Ist das soweit korrekt?

Und sorry mein Fehler: die IGBTs sollen in einer B6-Brücke betrieben 
werden (als Inverter). Ich hab immer im Kopf Drehstrombrücke, aber das 
ist ja so eigentlich nicht korrekt.