In Halbleiter Schaltungstechnik 13. Auflage auf Seite 873 ist die angehängte Schaltung, die ich nachgezeichnet habe, enthalten. Eine Ausgangsstufe mit einstellbarer Verstärkung. Ich habe ein bisschen Verständnisprobleme bei folgender Aussage: "Eine weitere Verringerung des Ausgangswiderstands lässt sich erreichen, wenn man die Schaltung zusammen mit einem Vorverstärker gegenkoppelt". Zunächst einmal ist mir dann nicht klar wie sich der Ausgangswiderstand ändern soll, der von R1 und k abhängig ist.
Mein Ziel ist es diese Schaltung für bis zu einigen Hundert Volt durch Stacking der Mosfets zu dimensionieren.
Dazu vorgeschaltet einen diskret aufgebauten Operationsverstärker und diese Ausgangsstufe hängt dann direkt am VAS Ausgang. Müsste ich hier noch die beiden Ausgangstransistoren mit einem Bias versehen? Nach meinem Verständnis nein, da ein Ruhestrom am Ausgang eingestellt wird.
Dazu ist die Frage wie man die Stromquellen am besten dimensioniert. Ich würde da intuitiv Depletion mode Mosfets als Stromquelle nehmen. Welche Mosfet Typen sind hier für Q1 bis Q7 am besten zu wählen?
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