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Hallo! Bin auf der Suche nach einer Seite die alle Transistorparameter, die in einem Datenblatt angegeben sind, erklärt. Ich kann leider nichts in diese Richtung finden. Im konkreten Fall geht es um die V(EBO). Ist das die maximale Spannung die ich in Sperrrichtung an die "Basis-Emitter Diode" anlegen darf? Allerdings wäre es trotzdem super wenn jemand so eine Seite weiß in der alle Parameter schön beschrieben werden. (Das wäre für mich auch für andere Bauteile interessant; FETs, Dioden, Kondensatoren...) Ich danke euch für eure Hilfe! Schönen Abend noch!
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Die Transistorhersteller haben sicher eine Application Note, die sich mit dem Drum-Herum um Parameter, Definitionen und Tests befasst.
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Hmm... Kann ich bei Diodes leider nichts in die Richtung finden.. http://www.diodes.com/destools/appnote.html#0
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Hab jetzt doch noch zumindest etwas in diese Richtung gefunden falls es hier noch weitere gibt die interessiert wären: http://de.wikipedia.org/wiki/Mathematische_Beschre...
Basis-Emitter-Durchbruchsspannung Bei der Basis-Emitter-Diode des pnp-Transistors liegt die Basis-Emitter-Durchbruchsspannung U(BR)EBO für die meisten Transistoren im Bereich zwischen 5 und 7 Volt. Da npn-Transistoren üblicherweise nicht mit einer negativen BE-Spannung betrieben werden, ist diese Angabe meist nicht relevant. Diese Spannung ist die kleinste Grenzspannung eines Transistors. |
Wäre natürlich über weitere Links froh!
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Angehängte Dateien:-
rf_physics.pdf | anzeigen
100,2 KB, 264 Downloads -
rf_symbols_and_terminology.pdf | anzeigen
54,2 KB, 150 Downloads
Andere Hersteller haben wahrscheinlich Ähnliches: http://www.nxp.com/acrobat_download/various/LSYMTRA.pdf http://www.nxp.com/acrobat_download/various/LSYMDIO.pdf 2 ältere von Vishay habe ich mal angehängt, auf der Website finde ich sie nicht mehr. Arno
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