Transistorparameter Erklärung

rease Gast #1937954
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Hallo!

Bin auf der Suche nach einer Seite die alle Transistorparameter, die in 
einem Datenblatt angegeben sind, erklärt. Ich kann leider nichts in 
diese Richtung finden.

Im konkreten Fall geht es um die V(EBO).
Ist das die maximale Spannung die ich in Sperrrichtung an die 
"Basis-Emitter Diode" anlegen darf?

Allerdings wäre es trotzdem super wenn jemand so eine Seite weiß in der 
alle Parameter schön beschrieben werden. (Das wäre für mich auch für 
andere Bauteile interessant; FETs, Dioden, Kondensatoren...)

Ich danke euch für eure Hilfe!


Schönen Abend noch!
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rease Gast #1938011
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Hab jetzt doch noch zumindest etwas in diese Richtung gefunden falls es 
hier noch weitere gibt die interessiert wären:

http://de.wikipedia.org/wiki/Mathematische_Beschreibung_des_Bipolartransistors


1
Basis-Emitter-Durchbruchsspannung

2
Bei der Basis-Emitter-Diode des pnp-Transistors liegt die Basis-Emitter-Durchbruchsspannung U(BR)EBO für die meisten Transistoren im Bereich zwischen 5 und 7 Volt.

3
Da npn-Transistoren üblicherweise nicht mit einer negativen BE-Spannung betrieben werden, ist diese Angabe meist nicht relevant. Diese Spannung ist die kleinste Grenzspannung eines Transistors.


Wäre natürlich über weitere Links froh!
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