Bauteil: DS1200

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  RAM mit serieller Schnittstelle?

  Sieht auch gut aus, weiß aber nicht, wo der zu kriegen ist. Zu kleine Alternative ist noch der DS1200 von Maxim mit 1 KBit. virtuPIC

  Mikrocontroller und Digitale Elektronik ·Thomas Bremer ·30.04.2008 14:07 ·7 Antworten

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  DS_SJDP120R085_rev1.3.pdf

  Max Off Characteristics Drain-Source Blocking Voltage BV DS VGS = -15 V, D = 600 µA 1200 - - V V DS= 1200 V, V GS < -15 V, - 10 - Tj = 25 C Total Drain Leakage Current DSS µA V DS= 1200 V, V GS < -15 V, Tj= 150 C - 100 - VGS = -15 V, VDS = 0V - -0.1 -0.3 Total Gate Reverse Leakage GSS mA VGS = -15 V,

  in „Siliziumkarbid-JFETS“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · 11.05.2011 18:41

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  DS_UJ3N120070K3S-1530204.pdf

  Conditions Value Units Min Typ Max Drain-source breakdown voltage BV DS V GS- 20V, ID=1mA 1200 V V DS1200V, 5 30 VGS -20V, T J 25°C Total drain leakage current D mA V DS1200V, 18 V GS-20V, T J 175°C V =-20V, T=25°C 5 50 Total gate leakage current G GS j mA V GS20V, T=j75°C 20 VGS2V, I D10A, T = 25°C 63

  in „SiC Kaskoden Body Diode“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · 18.02.2019 21:05

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  DAC014N120Z5.pdf

  7F▯ ▯▯ഒ ▯XQOHVV▯RWKHUZLVH▯VSHFLILHG▯ Parameter Symbol Ratings Unit Drain-Source Voltage VGS=0V V DS 1200 V D=100μA Gate - Source Voltage(dynamic) Tsur<100ns VGS(max.) -8/+19 V Gate - Source Voltage(static) VGS(op) -4/+15 V Drain Current-Continuous VGS=15V,TC=25°C ID 135 A VGS=15V,TC=100°C 95 Pulse Drain

  in „Doppelter Sourceanschluss bei SiC-Mosfets“ · Analoge Elektronik und Schaltungstechnik · 19.11.2024 21:58