Gast
#2179645
Welche Hersteller neben http://www.semisouth.com/ stellen solche Siliziumkarbid-JFETS (siehe Datenblatt) her?
Mosfet gibts einige, zB CREE, aber JFET habe ich noch keine gesehen. Seit wann misst man denn den IDss eines selbstleitenden FET mit -15V UGS? Arno
@ Arno H. (arno_h) >Seit wann misst man denn den IDss eines selbstleitenden FET mit -15V >UGS? Na weil der Leckstrom nur bei gesperrtem Transistor fließt ;-) Aber Power-FETs als JFET, das ist ja mal cool! Und 85mOhm bei 1200V Sperrspannung ist schon der Hammer! MFG Falk
Gast
#2180093
In der Elektronik war auch grad ein Artikel dazu drin, war das auch Semisouth?
> Welche Hersteller neben http://www.semisouth.com/ stellen solche > Siliziumkarbid-JFETS (siehe Datenblatt) her? Infineon hat auch schon SiC-JFets, die werden aber zur Zeit noch nicht so richtig öffentlich verkauft.
Gast
#2180420
Falk Brunner schrieb: > Na weil der Leckstrom nur bei gesperrtem Transistor fließt ;-) Du weisst, was das zweite s in IDss bedeutet? Arno
Gast
#2180603
Interessante Sache; von Power-JFETs habe ich bisher noch nix gehört... Und die Daten sprechen ja auch für sich. Leider sind in diesem Preliminary-Datenblatt noch keine Schaltzeiten angegeben - die wären nämlich auch sehr wichtig und interessant. Bemerkenswert ist auch die "Short circuit withstand time" von 50µs bei 800V. Da kann man sich ja (Achtung, Ironie...) die Deadtime bei Halbbrücken völlig sparen ;) Und einen ganz witzigen Fehler habe ich im Datenblatt gefunden: Als max. zulässige negative Gatespannung sind in den "absolute maximum ratings" -15V angegeben. Und etliche der "Electrical Characteristics" sind bei Vgs <= -15V angegeben ;)
Gast
#2180630
SiC scheint ja überhaupt ein sehr gutes Halbleitermaterial für sehr hohe Spannungen zu sein. Cree hat z.B. einen "normalen" N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET mit SiC als Halbleitermaterial im Angebot: http://www.cree.com/products/pdf/CMF20120D.pdf Übrigens kann man sie bereits kaufen; bei Digikey für gerade mal 94 US-Dollar pro Stück... Der Rds ist mit 0,08 Ohm ähnlich wie bei dem SiC-JFET von Semisouth. Im Gegensatz zu normalen N-Channel-Power-FETs und IGBTs brauchen diese FETs aber 20...22V Gatespannung, um voll durchzuschalten.
Gast
#2182266
Es gibt die von Southsemi als Anreicherungs und Verarmungstyp. Hier nochjmal das andere Datenblatt.
Gast
#2182325
Das sind selbst Sperrende JFETs. So etwas findet man bei Silizium in der Regel auch nicht. Dafür ist der Gate Strom auch deutlich größer als man es sonst kennt.