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Robusterer P-FET als IRF5210? Geht das?
optimierten N-FET und einem integrierten Charg-Pump-Treiber zu sehr gestört hat. Ich habe dafür den IRF5210PbF (TO220), von Infineon ins Auge gefasst. Es werden 3-4 hiervon parallel vorgesehen. Er ist nach meiner Recherche im Vergleich der SOA-Diagramme der robustetste P-FET den ich finden konnte. @1ms
steuert oben einen PNP an, der die Gate-Spannung begrenzt. Ich würde mir gut überlegen, so viele IRF5210 hintereinander zu schalten. Die haben zwar ein Rdson von 60mΩ, das sind bei 10A aber auch schon 6W. Das wird eine Materialschlacht: entweder viele parallel oder viel Kühlung.
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IRF5210S noch verwenden?
IRF5210S (D2PAK) kaum noch lieferbar zu sein scheint. Bei Digikey mit Lagerbestand 0, bei Mouser auf 0, bei RS Components auf 0... Laut Infineon steht er noch auf active. Nur bestimmte Verpackungsarten
nur temporäre Lieferschwierigkeiten? https://www.reichelt.de/index.html?ACTION=446&LA=0&nbc=1&q=irf5210 rhf
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Super-Zener-Diode: Differenzieller Widerstand
Z-Dioden und zwei unterschiedlichen MOSFETs aufgebaut. Einmal N-Kanal IRFB 4110 und einmal P-Kanal IRF 5210. Der Grund für die Auswahl war einfach, was da ist. Die Zener-Diode wurde natürlich immer zwischen Drain und Gate geschaltet. Getestet wurde mit einem Vorwiderstand von 2,7 Ohm an 0...50 V mit
allerdings bleiben bei 50V über 2,/ Ohm am IRFB 4110 nur schlappe 6,5 V (bei kaltem FET), beim IRF 5210 aber satte 7,2 V. Vom RdsOn sind beide Werte meilenweit entfernt. Deshalb meine Frage: Von welchem Parameter des FETs hängt der differentielle Widerstand dieses Gebildes ab?
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PWM-Schaltung verbessern?
danke für den Schaltplan Falk, als MOSFET hätte ich noch diesen hier gefunden IRF5210 -100 V, -40 A,RDS(on) 0,06 Ohm https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF5210_IR.pdf Das ganze ist nach T9 4 mal aufgebaut jede Platine muss nur 65A schalten, das könnte mit der Verstärkung
#7215315: > danke für den Schaltplan Falk, > > als MOSFET hätte ich noch diesen hier gefunden > IRF5210 -100 V, -40 A,RDS(on) 0,06 Ohm > https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/IRF5210_IR.pdf Kann man was mit anfangen. Viel parallel können 65A schalten, macht ~15W Verlustleistung/MOSFET
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Spannung von 90V reduzieren Gesperrt
Du dann aber einen bipolaren Transistor niedrigster VCEsat > ohne Basisstrom ;-) > Mit einem IRF5210 (z.B.) beträgt der Spannungsabfall @ 5 A max. 0,3 V. > im Vollastbetrieb bei o.g. Anwendung hast Du Recht. Aber genau in dieser Betriebsart ist ja der Shuntregler sinnvoller. Wie schon erwähnt
MaWin schrieb im Beitrag #5496826: > m.n. schrieb: >> Mit einem IRF5210 (z.B.) beträgt der Spannungsabfall @ 5 A max. 0,3 V. > > Wenn man ihn in der positiven Leitung mit einer negativen Gate-Spannung > voll durchschaltet. Einen mutmaßlichen Schalttransistor voll
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IRF5210 + BC546 einfache Regelschaltung 0...20V
Hallo eine kleine Schaltung für eine Stromversorgung, 1x IRF5210 und 1x BC546, stellt eine hinreichend stabilisierte Spannung im Bereich von 0V bis 20V und mehrere Ampere zur Verfügung. Die Ausgangsspannung schwankt nur um wenige 10mV bei einem Lastwechsel
...ich hab noch ein paaar Kleinigkeiten geändert... Gewundert hat mich, dass der IRF5210 (Strombegrenzung) sehr temperaturabhängig arbeitet, ein kleiner Kühlkörper bewirkte aber Wunder. Leider bekommt man bei hoherer Ausgangsspannung ein Fehlerstrom (Gegenkopplungswiderstände) von