Hallo zusammen, ich entwickel gerade eine ultra low power Anwendung und habe ein Infoproblem. Bekannt ist das Mosfets nach dem Laden des Gates keinerlei Verluste (am Gate) haben. Aber ist das wirklich so? Ist die Oxidschicht wirklich ein idealer Isolator? Oder fließt ein Erhaltungsstrom im nano oder u Bereich? Ich kämpfe um jedes Nanoampere. Braucht man für die Erhaltung der Gatespannung wirklich keinerlei Strom? Bitte um Infos und/oder Literatur. Vielen Dank Stefan
Gast
#4745846
Steht doch in den Datenblättern, Gate-Leckstrom.
Habs gegunden..... Ist einfach zu spät in der Nacht. Danke
Stefan U. schrieb: > Braucht man für die Erhaltung der > Gatespannung wirklich keinerlei Strom? Wie wäre es, mal ins Datenblatt des verwendeten MOSFETs zu gucken ? Natürlich fliesst auch über's Gate Strom, steigend mit der Temperatur, aber es fliesst deutlich mehr Strom von D nach S auch wenn UGS=0V ist. MOSFETs sind alles andere als ausgeschaltet bei UGS=0V. z.B. http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-BSP295-DS-v02_03-en.pdf hat 1-10nA übers Gate, aber 100nA von D nach S, bei 150 GradC sogar 50uA. Nanoampere sind nicht mal mit BC547 von OnSemi zu erreichen, die lassen zwar typisch nur 200pA durch, aber maximal 4uA.