Noise figure bipolarer Transistor - Arbeitspunkt, Rs

Gast #2341100
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Hallo,
ich suche einen bipolaren Transistor mit möglichst geringem Rauschen. 
Ich habe nun den BC550C gefunden. Dort steht im Datenblatt dass das 
Rauschen am geringsten ist wenn der Generatorwiderstand bei 2K Ohm ist.

Bezieht sich dieser Rs nur auf den Realteil? Was ist wenn ich eine 
Source mit induktiven/kapazitiven Anteilen einsetzen würde?

Danke!
#2341377
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Jens Marohn schrieb:
> Hallo,
> ich suche einen bipolaren Transistor mit möglichst geringem Rauschen.
> Ich habe nun den BC550C gefunden. Dort steht im Datenblatt dass das
> Rauschen am geringsten ist wenn der Generatorwiderstand bei 2K Ohm ist.
>
> Bezieht sich dieser Rs nur auf den Realteil? Was ist wenn ich eine
> Source mit induktiven/kapazitiven Anteilen einsetzen würde?
>
> Danke

1.
Jeder Transistor hat eine um so kleinere Rauschspannung am Ausgang, je 
kleiner Rs ist. Deshalb rauscht jeder Transistor bei Rs=0Ohm am 
wenigsten.

2.
Rauschfaktor = Verhältnis der auf den Eingang zurückgerechneten 
Rauschleistung zur Rauschleistung des Generatorwiderstandes

Noise Figure ist Rauchfaktor in dB umgerechnet.

Noise Figure wird immer für einen bestimmten Kollektorstrom angegeben, 
z. B. 200uA, da dieser optimale Rs vom Kollektorstrom und der 
Stromverstärkung ahängt.



Wichtige Regeln

1.
Wenn die Quelle an sich schon einen bestimmten Innenwiderstand hat, dann 
kann man durch optimale Wahl des Kollektorstromes das Signal am 
rauschärmsten verstärken.

2.
Es ist immer kontraproduktiv einen zusätzlichn Serienwiderstand 
einzufügen.




Wenn die Quellimpedanz einen zum Rs signifikanten Bindanteil jwL hat, 
dann entsteht am Ausgang mehr Rauschspannung, verursacht durch einen 
verstärkten Einfluss vom Basistromrauschen.
Gast #2341874
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Hi, Jens,

> ich suche einen bipolaren Transistor mit möglichst geringem Rauschen.
> Ich habe nun den BC550C gefunden. Dort steht im Datenblatt dass das
> Rauschen am geringsten ist wenn der Generatorwiderstand bei 2K Ohm ist.
>
> Bezieht sich dieser Rs nur auf den Realteil?
Rgopt nannte Prof. Flachenecker diesen Widerstand in der Vorlesung.
Er hat als Assistent an den aktiven Antennen mitentwickelt und einige 
Patente dazu.

Rgopt ist natürlich komplex. Bevor mir in der Vorlesung schwindelig 
wurde ;-), hatte ich noch was mitgeschrieben von Stromrauschen und 
Spannungsrauschen, beides komplex, beides zu betrachten in Real- und 
Imaginärteil.
In den Vitrinen hatten wir Nachbildungen und Experimentieranordnungen 
stehen, in denen die Anpassung an Rgopt gemacht war, indem die 
Zuleitungen des Transistors,z.B BFY90, als Transmission lines ausgeführt 
waren.

Für den BC550 und seinen Frequenzbereich wäre das nur mit Induktivitäten 
und Kapazitäten zu erreichen.

Viel problematischer: Allein zum Probieren brauchst Du einen 
Rauschmeßplatz.

Reicht es für Deine Anwendung nicht, wenn Du einfach den Datenblattwert 
als Orientierung benutzt?

Ciao
Wolfgang Horn

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