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FET Uds überschreiten
Gast
#6558369
Hallo zusammen, vielleicht eine blöde Frage, aber was passiert typischerweise wenn man Uds beim FET überschreitet? Beispielseweise bei einem BSS84 (P-Fet, 50V). Wenn es zum Durchbruch kommt, wird das Bauteil dann typischerweise sofort zerstört? Oder wovon hängt das ab bzw. was passiert da? Danke und Grüße Alex
Gast
#6558382
Alec schrieb: > Wenn es zum Durchbruch kommt, wird das Bauteil dann typischerweise > sofort zerstört? Oder wovon hängt das ab bzw. was passiert da? Davon, wieviel Strom fließt und wie lange er fließt. Wenn der Durchbruch hervorgerufen wird weil eine niederohmige Quelle am Drain zu viel Spannung liefert, dann fließt ein großer Strom so lange, bis der FET zerstört ist. (Je nach umgesetzter Leistung kann das sehr schnell gehen.) Aber wenn der Strom im Durchbruch sehr klein ist (weil er z.B. durch einen Widerstand vor dem Drain begrenzt wird) und schnell genug wieder auf 0 geht, dann kann der FET es ggf. überleben. der wird in der Regel dauerleitend, es sei den er wird komplett verschmort irgendwann unterbrichts dann. Um wieviel willst du den drüber? Früher wurde es bei Zündanlagen so gemacht das eine zu hohe Induktionsspannung mittels Z-Diode auf die Basis / aufs Gate geleitet wurde, so hat das Teil wieder etwas durchgesteuert und die Spannung konnte nicht so weit steigen. Aber wie gesagt da ging um die Induktionspannung, nicht um die Betriebsspannung die nur bei 12V lag. Alec schrieb: > Uds beim FET überschreitet? Beispielseweise bei einem BSS84 (P-Fet, > 50V). Die allermeisten MOSFETs sind als "avalanche rated" spezifiziert. D.h. sie verhalten sich wie eine Z-Diode und begrenzen die Spannung. Wenn der Strom bzw. die Energie des Überspannungspulses entsprechend begrenzt sind, ist dieser Effekt nicht zerstörend und auch nicht langsam verschleißen, d.h. der MOSFET hält das immer wieder aus. Im Gegensatz dazu überleben Bipolartransistoren und IGBTs sowas nicht, da reicht der einmal der soganannte Durchbruch 2. Art und das Bauteil ist kaputt. https://de.wikipedia.org/wiki/Zweiter_Durchbruch
Gast
#6558512
Alec schrieb: > vielleicht eine blöde Frage, aber was passiert typischerweise wenn man > Uds beim FET überschreitet? Beispielseweise bei einem BSS84 (P-Fet, > 50V). Uds ist die Spannung, die zwischen Drain und Source anliegt. Das ist ein Fakt und du kannst daran nichts ändern. Meinst du vielleicht, dass deine Uds den unter Absolut Maximum Ratings genannten Wert VDSS überschreiten soll? Da passiert erstmal gar nichts. Der Hersteller garantiert dir, dass bis zu diesem Wert nichts böses passiert, aber er garantiert dir umgekehrt nicht, dass über diesem Wert sofort etwas kaputt/schief geht.
Gast
#6558568
Falk B. schrieb: > verhalten sich wie eine Z-Diode Problem ist nur, dass er ähnlich jeder Z-Diode heiß wird bei großer Belastung. Irgendwann schmilzt auch das Silizium und das Teil macht schnell den Deckel auf (damit der TO Alec besser nachsehen kann, woran es lag). :-)
Gast
#6558688
Falk B. schrieb: > Im Gegensatz dazu überleben Bipolartransistoren und IGBTs sowas nicht, > da reicht der einmal der soganannte Durchbruch 2. Art und das Bauteil > ist kaputt. > > https://de.wikipedia.org/wiki/Zweiter_Durchbruch Den Wikipedia-Artikel bitte gaanz genau durchlesen. Der ist nichts wert. oszi40 (Gast) >Falk B. schrieb: >> verhalten sich wie eine Z-Diode >Problem ist nur, dass er ähnlich jeder Z-Diode heiß wird bei großer >Belastung. Irgendwann schmilzt auch das Silizium und das Teil macht >schnell den Deckel auf (damit der TO Alec besser nachsehen kann, woran >es lag). :-) Das ist kein Problem, den es wurde ja explizit gesagt: >Strom bzw. die Energie des Überspannungspulses entsprechend begrenzt Du mußt also einfach drauf achten, daß dessen "Sperrschicht" nicht zu heiß wird, genau so, wie auch im regulären Betrieb. Jens G. schrieb: > Du mußt also einfach drauf achten, daß dessen "Sperrschicht" nicht zu > heiß wird, genau so, wie auch im regulären Betrieb. Nicht ganz. Alle PN-Übergänge können in den Avalancedurchbruch gehen und das überleben. Aber es gibt Bauteile, die halten Avalance deutlich besser aus als andere. Eine 1W Z-Diode mit 100V verkraftet 10mA Sperrstrom, ohne kaputt zu gehen. Eine normale Diode mit 100V Sperrspannung eher nicht, und wenn dann nur kurz bzw. nicht in großen Stückzahlen. Dito beim MOSFET im Vergleich zum NPN-Transistor. Noch deutlicher ist der Unterschied im Pulsbetrieb, da trennt sich die Spreu noch schneller vom Weizen. Wir hatten mal in der Firma ein Problem mit Avalancedioden, 1kV, 1A. Der eine Typ war angeblich "avalance rated", ohne Angaben im Datenblatt. Nach mehrfachem Nachhaken beim Hersteller kam dann aber nur ein klägliches "naja, mit 10mA Pulsstrom oder weniger". Die andere (BYG23M) hatte laut Datenblatt 20mJ max. Avalanceenergie bei 1A. Real gemessen war es gut das Doppelte. Die hat uns den Arsch gerettet 8-0
Gast
#6559257
Falk B. schrieb: > Die andere (BYG23M) > hatte laut Datenblatt 20mJ max. Avalanceenergie bei 1A. Real gemessen > war es gut das Doppelte. Die hat uns den Arsch gerettet 8-0 Der wäre mit einem 2. Durchbruch auch bedeutend schwieriger handhabbar gewesen! Antwort schreiben |
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