Entladegerät absichern

Gast #1190123
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Es sollen Batterien (1 - 12 V) mit einem einstellbaren, konstanen Strom 
(0.1 - 10 A) entladen werden. Dafür möchte ich zwei BUZ11 FETs parallel 
geschaltet verwenden und einen Shunt mit 0.1 Ohm, um den Strom zu messen 
und diesen mit einem Opamp zu regulieren. Fernen soll noch ein uC für 
die Einstellung des Stromes (DA-Wandler am nichtinvertierenden Eingang 
des Opamp) und der Entladeschlussspannung sorgen. Er wird auch die Zeit 
messen, um so auf die Kapazität zu kommen.

Jedenfalls habe ich mir überlegt, was passiert, wenn die FETsr voll 
durchsteuern. Dann haben zwei BUZ11 zusammen einen Widerstand von 0.02 
Ohm und bei 12 V würde ein Entladestrom von über 85 A fließen. Das 
möchte ich natürlich keinem Akku antun (schon gar nicht den FETs 
selbst).

Wie kann man diesen Fall vorbeugen? Einfach eine Sicherung zwischen 
Batterie und Shunt?

------------                     --------------- 12V
|          |                     |
|          |                     R1
|          |                     |
|          |          (+)---------
BAT       FET----OPAMP|          |
|          |          (-)--      |
|          |              |     DAC------------- uC
|          |--------------|      |
|          |                     |
|        SHUNT                   |
|          |                     |
------------------------------------------------ GND
#1190184
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.    |              ---     /+|-
     +-||-------+--|___|---<  |
     ->||       |           \-|-+
     +-||       |            \| |
     |        |/                |
     +--+-->|-|                 |
     |  |     |>                |
    .-. |       |               |
    | | +-------(---------------+
    | |         |
    '-'         |
     |          |
     |          |
     |          |
    ===        ===
    GND        GND


Wieso nicht so? Da der FET sowieso nicht schnell schalten muss kann man 
die Gatekapazität vernachlässigen. Und der Transistor zieht wenn die 
Spannung am Shunt zu groß wird die Gatespannung richtung Masse.
Eine Diode an der Basis des Transistors hebt die Spannung am Gate an. Ud 
+ Ube=1,2V am Shunt => der Strom ist auf max 12A begrenzt

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