Snubber aus Überschwinger bestimmen

Bert S. schrieb:

> Vsupply: +48VDC
> fswitch: 32kHz
> Tovershoot: 20ns (Überschwinger versucht mit 20ns Periode zu schwingen
> und pendelt sich wegen der hohen Dämpfung bereits bei 2Tovershoot ein)
>

Du bist Dir sicher das dies kein Messfehler ist?

und wenn ja -  was stört an dem Überschwingen? Wenn die Schaltung so auf 
Kante genäht ist das 20ns 60V bereits ein Sicherheitsproblem darstellen 
ist ein Snubber nicht die erste Wahl.

Abgesehen davon - ist`s echt zuviel verlangt wenn man Hilfe braucht das 
wenigstens die Fotos, die mitgeschickt werden ordentlich und nicht aus 
einem mehr als schrängen Winkel geschossen werden so das die sicherlich 
interessanten Details in der Tiefenunschärfen verloren gehen? Das Oszi 
kann den Bildinhalt abspeichern oder man kann das Foto von vorne 
aufnehmen, beides erhöht die Deutlcihkeit sehr....

Bert S. schrieb:
> Das Problem ist, der Gatetreiber (DRV8350) hat eine Ladungspumpe und die
> integrierte maximale Spannung zwischen Source und Drain darf +-10V
> betragen. Ist einer dieser Smart Gate Treiber von TI, wobei der bereits
> auf dem kleinsten IDRIVE Setting ist. Mit Snubber sollte der
> Überschwinger nochmals massiv tiefer gehen und so sollte dann auch noch
> mehr Strom drinliegen.


Kannst du das näher erläutern ?
Welche Spannung darf nicht überschritten werden ? Die Vdrain des 
High-Side Mosfets ist doch die Eingangsspannung der Ladungspumpe. Steigt 
Vdrain durch den Überschwinger an kommt die Ladungspumpe doch mit .
Oder übersehe ich etws ?

snubber verheizt den Überschwinger + einen teil des Umschaltstroms. 
Schnelle Diode speichert die Energie im Zwischenkreis.

Snubber abschätzen: R muß Motorstrom tragen bei maximal erlaubter 
Spannung. Impedanz vom C muß im Verhältnis zu R noch klein sein bei der 
ungewollten Resonanzfrequenz. z.B. fg=fres/10.

Bert S. schrieb:
> Messfehler ist ziemlich ausgeschlossen, habe das mit einem Federabtaster
> gemessen direkt neben dem MOSFET.

Ok... ich laß das einmal so stehen.

>
> MiWi schrieb:
>> und wenn ja -  was stört an dem Überschwingen? Wenn die Schaltung so auf
>> Kante genäht ist das 20ns 60V bereits ein Sicherheitsproblem darstellen
>> ist ein Snubber nicht die erste Wahl.
>
> Das Problem ist, der Gatetreiber (DRV8350) hat eine Ladungspumpe und die
> integrierte maximale Spannung zwischen Source und Drain darf +-10V
> betragen.

Wo steht das? das einzige was ich in den max. Ratings mit +/-10V 
gefunden habe ist:

Transient 200-ns high-side source sense pin voltage (SHx):  min–10V 
max(V_VDRAIN + 10V)

V_Vdrain darf bis zu 100V betragen, die sind da noch lange nicht 
erreicht .

Dein Puls dauert 20ns.

Nach Deinen Worten schaltet der Highside-FET. Daher sieht V_Vdrain den 
Schwinger nicht.

Und wenn der Lowside schaltet.. auch egal, Source vom Highside wackelt 
mit und damit auch V_Vdrain.

meiner Meinung nach ist da alles ziemlich ok.

Also wo ist das Problem?

Bert S. schrieb:
> jedoch bin ich mir noch
> unsicher von der Wertewahl
Einfach mal mit 1 nF, 10 nF und 100 nF und einem Poti mit 0 bis 100 Ohm 
experimentieren.