Hallo Zusammen, ich hab hier einen Mosfet-Treiber und will seinen Innenwiderstand wissen.....In seinem Datenblatt ist davon nirgends etwas zu lesen.... Kann mir vll jemand aus seiner Erfahrung sagen, welchen Wert der Innenwiderstand vom IR2110 hat? Gruß Ede
Ganz grob kann man von etwa 6 Ohm ausgehen (das Datenblatt sagt 2,5A bei 15V). Im Bereich 5-10 Ohm liegen die meisten Mosfettreiber mit mittlerer Leistung.
Hi Benni, Okay alles klar! naja, nicht ganz,.....also ich hab da 12V an High/Low-out vom Treiber .....und damit der Treiber nicht so schnell heiß wird...will ich einen Widerstand am Gate vom Mosfet dranlöten, damit dieses CU^2 zum Teil am Widerstand entladen wird.....aber wie soll ich das jetzt rechnen? 12V über meinem Innen(5-10ohm)+ Vorwiderstand??? Ich brauch am Gate von den Mosfet's so ca. 10V....welchen Vorwiderstand brauch ich da? Gruß Ede
Hm, der Widerstand macht dann aber irgendwie den Sinn des Treibers zunichte. Der soll ja eigentlich möglichst viel Strom liefern, damit die Flanken schön steil sind, wenn du da noch einen Widerstand reinhängst, werden die ja wieder flacher. Dann könntest du auch einfach einen Transistor mit Pull-Up nehmen.
Philipp Burch wrote: > Hm, der Widerstand macht dann aber irgendwie den Sinn des Treibers > zunichte. Der soll ja eigentlich möglichst viel Strom liefern, damit die > Flanken schön steil sind, wenn du da noch einen Widerstand reinhängst, > werden die ja wieder flacher. Dann könntest du auch einfach einen > Transistor mit Pull-Up nehmen. Der Widerstand soll ja nicht riesig sein. Er ist jedenfalls auch im Datenblatt vorgesehen. Da reichen ein paar Ohm als Daumenwert (so 1-5 Ohm würde ich sagen).
Es macht teilweise schon Sinn einen Widerstand reinzubauen, man muss immer alle Faktoren abwägen: Vorteile eines Widerstands: - Schutz der Mosfettreibers bei Spannungsspitzen/Fehlern - langsames Schalten (-> weniger EMV Probleme, weniger Überschwinger) - die Verlustleistung teilt sich auf den Widerstand und den Treiber auf - Verringerung der Schwingungsneigung aufgrund parasitärer Induktivitäten. Nacheile eines Widerstands: - langsameres Schalten (-> mehr Verlustleistung beim Umschalten) - höherer Innenwiderstand (-> eventuell Probleme durch Spikes am Drain über die Millerkapazität) Als Kompromiss verwendet man daher oft eine Kombination aus Widerstand + Diode parallel, damit der Mosfet schnell abschaltet, aber etwas verlangsamt ein. Als grober Richtwert für den Gatewiderstand kann man 5-50 Ohm je nach Mosfet nehmen. Für große Mosfets mit großen Gatekapazitäten irgendwas im unteren Bereich, also um die 5-10 Ohm. Das halbiert die Verlustleistung des Treibers, aber verdoppelt die Schaltzeiten was für normale Anwendungen meist vernachlässigbar ist.
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