Alternative BLDC-Beschaltung

OP #1623503
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Hallo,
ich beschäftige mich seit geraumer Zeit mit BLDCs. Leider bin ich kein 
besonders erfahrener Bastler (weshalb ich mich ja jetzt auch an euch 
wende ^^). Auf der Seite des Mikrokopter-Projektes habe ich eine 
MOSFET-Schaltung entdeckt (Mosfets.png) und würde diese natürlich auch 
prinzipiell einfach nachbauen (ich schätze mal, dass die Schaltung auch 
mit den 3.3V eines ARM auskommt?).
Da ich hinterher auch gern erklären will, warum ich das so gemacht habe, 
folgende Verständnisfrage: Kann ich nicht einfach zwei P-MOSFETS nehmen 
und wie im oberen Teil der Schaltung verknüpfen? Das sollte dann 
irgendwie so aussehen wie in meiner angehängten Spice-Schaltung. Diese 
funktioniert prinzipiell, aber wo ist der Nachteil?

Vielen Dank schonmal,
Jan
Angehängte Dateien:
Gast #1623674
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Wie willst du den unteren p-fet durchschalten? Das funktioniert nicht.

Ich nicht 100% sicher, aber:
p-fets werden gegenüber drain geschaltet. D.h. Gate negativ (~5v) 
gegenüber drain -> durchgeschaltet. Gate Potential relativ zu drain 0V 
oder sogar positiv: ausgeschaltet.
In deiner Anwendung möchtest du den p-fet unten durchschalten. Dann 
liegen Drain und Source auf dem selben Potential, nämlich GND. Dann 
brauchst du noch eine negative Spannung gegenüber GND, also -5V. Die 
hast du 1. nicht und 2. ist es auch nicht sinnvoll. n-fets sind bei 
gleichen Abmessungen leistungsfähiger. Dort brauchst du eine positive 
Spannung an Gate bgzl Source um durch zu schalten.


Bedenk auch, welchen Strom dein Pegelwandler (pullup + npn) zieht. Das 
ist 100% Verlustleistung die den Wirkungsgrad beschränkt und die Platine 
aufheizt.
Gast #1623768
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Mit dieser MOSFET-Schaltung habe ich mich die Tage auch beschäftigt. 
Wäre es nicht besser an Stelle des IRFR1205 z.B. einen IRLR2905 zu 
benutzen? Das ist ein Logic-Level MOSFET der sich mit den 5V vom 
Controller besser/schneller durchschalten lassen sollte. Oder spielt das 
in dem Fall keine große Rolle?
OP #1623865
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Danke für die Antwort. In der Simulation funktioniert die Schaltung. Das 
liegt aber vermutlich am MOSFET selbst (Verarmungstyp oder nciht). Dass 
die Bipoaltransistoren viel Strom ziehen, habe ich mir schon gedacht :-)

Die beiden MOSFETs werden dann aber bald über +3.3V angesteuert? Und ich 
muss doch sicher auch beim Schalten das Timing beachten, weil ja sonst 
kurzzeitig beide MOSFETs leitend sind...?

Jan

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