Gast
#1141198
Hi, muss eigentlich zwischen Gate und Pot pin des µC ein Vorwiederstand ? Bisher habe ich da geteilte Meinungen drüber gelesen. mfg Yannic
Gast
#1141209
jein also kommt drauf an was dein uc an kapazitiverlast abkann und welche kapazität dein gate darstellt. die größe des r hängt von der gewünschten schaltgeschwindigkeit ab. was ich aber auf jedenfall machen würde ich nen pull down/up fürs gate um ihm ne vrugslage zu geben. mfg marcel
Gast
#1141212
Was für eine Sprache sprecht Ihr? guude ts
ist allein abhängig von der schaltfrequenz und der damit verbunden stromaufnahme durch die kapazität des fet. wenn du so unter 1khz bleibts, gehts bei den meisten ohne vorwiderstand. musst du halt mal berechnen bzw. simulieren
Gast
#1141216
Manchmal legt man in Serie zum Gate einen Widerstand in der Größenordnung einige 10 bis einige 100 Ohm, um EMV-Probleme zu vermeiden. Damit wird die Flankensteilheit verringert, weil der FET langsamer schaltet (der Gatewiderstand bildet mit den meist recht hohen Kapazitäten der Gate/Source-Kapazität sowie der Millerkapazität einen Tiefpass). Dies führt allerdings zu erhöhten Schaltverlusten, vor allem bei hohen Schaltfrequenzen. Bisweilen sieht man auch Widerstände im Bereich einige Kiloohm zwischen Gate und Source. Diese haben die Aufgabe, das Gate stets auf einen definierten Pegel zu legen, auch wenn die Ansteuerung deaktiviert bzw. hochohmig ist. Beispielsweise wenn ein Transistor zur Ansteuerung eines P-Kanal-MOSFETs verwendet wird.
Gast
#1141223
Hi, ansteuern tue ich ein IRLZ34N mit einem Atmega 16. Was genau meinst du mit der Schaltfrequenz ? mfg Yannic
Gast
#1141231
>Was genau meinst du mit der Schaltfrequenz ?
Denk mal an PWM, da wird sehr schnell ein- und ausgeschaltet.
Wenn Du nur ab und zu schalten willst, kannst Du den µ-Ausgang direkt
mit dem Gate verbinden.
Gast
#1141479
Hi, danke für die Info, kann man das so pauschal sagen, wenn nur einmal kurz ein und wieder ausgeschaltet werden soll, oder ist das ganze abhängig vom jeweiligen Fet ? mfg Yannic