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Welchen Mosfet für Tiefentladeschutz mit Lademöglichkeit?
Gast
#4897770
Moin! Ich möchte einen Tiefentladeschutz für einen 100Ah 24V Akku in meinem Wohnmobil aufbauen. Für die Abschaltung möchte ich einen P-Kanal Mosfet verwenden. Nun frage ich mich, ob es möglich ist die Bodydiode des Mosfets als Rückkanal zum Laden zu verwenden oder ob ich eine Shottky Diode antiparallel schalten muss, um den Akku mit ca. 20A wieder aufzuladen. Kann mir jemand einen Tipp geben, welcher Typ Mosfet da infrage kommt? Danke! Mike P-Kanal MOSFET haben allgemein schlechtere Werte als N-MOSFET. Inzwischen gibt es aber Typen, die schon beachtliche Werte haben: http://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB180P04P4L_02-DS-v01_03-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f7845736e2e49&ack=t
Gast
#4897998
Da die Schaltzyklen ja gering sein werden, ist vielleicht ein Relais die bessere Wahl? Mike schrieb: > um den Akku mit ca. 20A wieder aufzuladen. Bei 20A müsste man den FET dafür auf einen großzügig dimensionierten Kühlkörper montieren, da durch den hohen Spannungsabfall an der Body-Diode eine entsprechend hohe Verlustleistung anfällt. Eine Schottky-Diode wäre besser, aber auch da muss man noch ein paar Watt an Wärmeleistung abführen. Insgesamt wäre es sicher besser, den FET zum Laden einzuschalten.
Gast
#4898064
Thomas E. schrieb: > Insgesamt wäre es sicher besser, den FET zum Laden einzuschalten. Hm, aber leitet der denn dann in beiden Richtungen?
Gast
#4898101
Natürlich, solange Ugs größer als Uth ist.
Gast
#4898113
Mike schrieb: > Kann mir jemand einen Tipp geben, welcher Typ Mosfet da infrage kommt? Einer, der den Strom aushält. Dazu hast du ja NATÜRLICH nichts geschrieben. Aiso den maximalen Ladestrom (über die Diode) und den maximalen Entladestrom (über den eingeschalteten MOSFET). Und dabei geht es auch und gerade um sehr kurzzeitige Stromspitzen, wie sie beispielsweise beim anklemmen eines Kondensators oder Ladungsausgleich beim Zusammenschalten von 2 Akkus auftreten. Denn MOSFETs sind in Millisekunden kaputt, und die angesprochenden Ströme liegen deutlich über 100A es sei denn, man unternimmt etwas gegen sie (Laden über Vorwiderstand, Entladenüberstrombegrenzung).
Gast
#4898130
Huhu, Also ich hab schon mal gute Erfahrungen mit den BTS555 gemacht. Hat den Vorteil zum klassischen Mosfet das Schutz wie Überstrom, Kurzschluss, Übertemperatur usw integriert ist. Und bei höheren Strombedarf bzw. Leistungsbedarf (thermisch) könntest du auch 2 oder 3 davon parallel schalten. Gruß Krissiii
Gast
#4898199
Vorschlag: http://www.vishay.com/docs/73493/73493.pdf Den hab ich schon für ähnliche Aufgaben (allerdings nur 10A) genutzt. Für 20A heißt das: Typisch 0,005Ohm -> 2W Das kann das Layout übernehmen, vorausgesetzt man sieht ausreichende Kühlflächen vor. Man kann auch zwei parallel schalten, dann spart man jeglichen Kühler komplett - da wären wir bei 0,5W pro FET, das packt das Package allein. Der kostet nicht so viel, dass man sich das nicht leisten kann. Dessen Diode wird den Ladestrom allerdings nicht tragen können - weil der dann zu heiß werden wird. Aber nichts spricht dagegen, ihn beim Laden einzuschalten - ein FET kann in beide Richtungen leiten. Wurde weiter oben ja schon vorgeschlagen. Wenn man einen Mosfet während dem laden ansteuert fließt der Strom auch rückwärts durch den Mosfet und nicht durch die integrierte Diode.
Gast
#4898705
Das Ladegerät kann doch direkt an den Akku darf halt nur keinen Strom aus dem Akku ziehen wenn es nicht lädt. Im Zweifel ein Relais das einschaltet wenn Ladenstrom fließen kann. Mfg Michael
Gast
#4899792
Vielen Dank erst mal für die vielen erhellenden Antworten! Nun seh ich schon klarer. Eine etwas stumpfe Frage hätte ich noch: Die meisten Mosfets sind mit maximal Vgs=+/-16...20V angegeben. Da ich aber eine 24V Anlage überwachen möchte und die Spannungswächet ICs Vin durchschalten bin ich in der Auswahl doch sehr eingeschränkt. Kann man dieses Problem mit einem einfachen Spannungsteiler lösen oder führt das wieder zu neuen Problemen, so dass man unbedingt einen MOSFET mit hoher zulässiger Vgs einsetzen sollte? Danke! Hier zur Ansteuerung eines P-Kanal MOSFETS: Beitrag "Re: Wie Ugs (p-FET) sinnvoll begrenzen?" Antwort schreiben |
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