Hallo, ich beschäftige mich aktuell mit Audio-Verstärken und würde gerne demnächst einen dimensionieren. Eine Sache die mir noch nicht ganz klar geworden ist: Die y-Parameter sind typischerweise komplex um das frequenzabhängige Kleinsignalverhalten des Transistors um einen Arbeitspunkt zu beschreiben. Sind da die Diffusions-, und Sperrschichtkapazitäten der Basis-Emitter und Basis-Kollektor Übergänge mitmodelliert? Das heißt auch der Miller-Effekt? Meiner Meinung nach ja, denn die y-Parameter ergben sich ja aus Messungen mit höherfrequenten Signale, so dass das dynamische Verhalten (Diffusions-, und Sperrschichtkapazitäten und sich ergebener Miller-Effekt bei der Emitterschaltung) auch in den y-Parmatern "kodiert" ist.
Gast
#6915628
Ich bin kein Halbleiterphysiker und befasse mich nicht "wissenschaftlich" mit den inneren Parametern eines Halbleiters, ich weiß kaum warum, sondern nur, wie er sich wann verhält. Die Parameter können m.E. alle für ein Modell angegeben werden. Es sind zumindest für einen BJT ziemlich viele. Details findest du im WWW, z. B. https://resources.pcb.cadence.com/blog/2020-determining-spice-model-parameters-for-transistors-easily-and-accurately, oder https://studylib.net/doc/5860496/setting-transistor-parameters-in-pspice. Beispiel daraus:
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Die Suche ist einfach. Ob die auch für "deinen" Transistor angegeben sind, musst du in der Bibliothek für das Modell nachsehen. Und, ehrlich gesagt, nach den BJT-Parametern zu fragen, wenn man einen Audio-Verstärker dimensionieren will, scheint mir - diplomatisch ausgedrückt - arg praxisfern zu sein. Warum meinst du, dass das notwendig sein könnte?