p-Mosfet Schaltung

didi Gast #1649541
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Hallo!

Ich brauche einen Highside Switch, weil ich 12V schalten muss.

Habe deswegen einen P Mosfet gewählt, dieser wird von einem N Mosfet 
geschaltet und dieser wiederum vom µC.

Funktioniert das so wie ich das gezeichnet habe?
Oder muss ich etwas ändern?

Didi
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didi Gast #1649754
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Hallo!

danke einmal fürs drüber schaun, werde dann den R105 weglassen, und der 
2N7002T wird wahrscheinlich durch den BSS138 ersetzt, der schaltet schon 
bei 1,5 V durch.

der aus obiger schaltung soll laut datenblatt bei 2,5 V durchschalten.

Und ich habe vergessen zu sagen, dass nicht schnell geschaltet wird, es 
soll nur statisch ein/aus geschaltet werden

didi
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Michael Gast #1649771
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didi schrieb:
> es
> soll nur statisch ein/aus geschaltet werden

Die Frage ist halt nur wie schnell ein- oder ausgeschaltet werden soll. 
10 s Zeit lassen dafür oder doch nur 10 ns Zeit dafür ;). Und wenn der 
P-Kanal die 12V verträgt, dann den besagte R weglassen. ;)
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didi Gast #1649802
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Hallo!

also schnell, nunja, wie schnell ist schnell, das hat jeder anderes 
empfinden, indem ich damit Glühbirnen schalte, würd ich sagen 10ns ist 
übertrieben, 10s untertrieben.

Meint ihr dass ich den 1K widerstand kleiner machen soll oder den 
pull-up mit 50K? reicht es wenn ich diesen auf 10K herabsetze?

didi
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Stefan W. #1650275
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...rechne doch einfach mal nach: Der Pull-up legt beim Abschalten den 
max. Strom fest und bildet mit der Gate-Kapazität ein RC-Glied. Die 
Formeln dazu sind leicht zu finden und (trotz e-Funktion) kein 
Hexenwerk. Andererseits sollte er nicht zu niederohmig sein, denn Dein 
N-Schalter soll ja auch nicht überlastet werden. Wenn Du dann noch das 
Integral der Verlustleistung über die Schaltvorgänge hinbekommst (denk' 
dabei an den Einschaltstrom einer Glühlampe) und die Grenzdaten aus dem 
Datenblatt einhältst, hast Du schon eine recht fundierte Dimensionierung 
geschafft.

Auch beim Umgang mit Elektronik schaden ein paar Grundkenntnisse in 
Physik, und Mathe nicht...
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didi Gast #1650640
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Hallo!

wenn ich statt dem 50K R einen 500 Ohm R einbaue, habe ich einen strom 
von ca. 24mA, was der Bss138 leicht verkraftet und die Eingangskapazität 
des Leistungs FETs wird auch schnell geladen.

stimmt das so und kann ich das so einbauen? oder soll ich lieber auf 1K 
gehen?

didi
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