Drain-Gate Voltage bei N-FET

minipilot schrieb:
> Soll der FET
> nicht durchschaltet, wird das Gate auf die Dain Spannung gelegt. Soweit
> alles Ok.

Die Treshold-Spannung bezieht sich auf Gate-Source. Nicht 
durchgeschaltet bedeutet Gate-Source-Spannung kleiner Treshold-Spannung. 
Betrachte mit dieser Erkenntnis Deine Schaltung auf ein Neues.

VG,
Michael

Hallo Michael,

Da gehe ich mit, hatte ich auch so gemeint. Oft ist halt in Schaltungen 
mit high side N-kanal ein widerstand zwischen drain und gate. Meine 
haupt Interesse ist jedoch auf die maximale zulässigen drain zu gate 
Spannung gerichtet.  Hier ist oft keine Angabe darüber im Datenblatt. 
Ist diese immer gleich der drain souche Spannung, so wie bein 2N7002 ?

Gruß minipilot

Hallo minipilot,

normal würde ich sagen, dass das Gate über ein Widerstand an Source 
gekoppelt ist. Hierdurch wird gewährleistet, dass der MosFet erstmal 
sicher "ausgeschaltet" ist, falls z.B. die Treiberspannung noch nicht 
zur Verfügung steht.

So jetzt zu Deiner Frage (MosFet als Schalter):
1.)
Ist der MosFet hochohmig liegt das Gate quasi auf der gleichen Spannung 
wie Source. Hier zählt dann die Spannung Drain Source.

2.)
Ist der MosFet leitend liegt über Drain Source nur der Spannungsabfall 
über dem N-Kanal an.

Somit sollte sich Deine Frage erledigt haben.

Mit besten Grüßen,
Michael

Wenn der N-FET nun durchgeschaltet hat, hat souche gleiches Potential 
wie drain. Wenn nun die spannung am gate zu souche mit +/-20V angegeben 
ist, gilt dies doch auch für drain gate. Oder noch besser: Wird der FET 
in low Side betreiben,  und ich möchte ein Verbraucher damit schalten 
welcher mit der Spannung xyz arbeitet, liegt gate im angesteuertem 
zustand auf souche Potential.Somit ist doch dann die drain-gate spannung 
gleich der spannung xyz.
So müsste es sein, hatte mich von der high-side anwendung vermutlich 
verwirren lassen.

Gruß minipilot

liegt gate im angesteuertem
> zustand auf souche Potentiainipilot schrieb:
> Wenn der N-FET nun durchgeschaltet hat, hat souche gleiches
> Potential
> wie drain. Wenn nun die spannung am gate zu souche mit +/-20V angegeben
> ist, gilt dies doch auch für drain gate. Oder noch besser: Wird der FET
> in low Side betreiben,  und ich möchte ein Verbraucher damit schalten
> welcher mit der Spannung xyz arbeitet, liegt gate im angesteuertem
> zustand auf souche Potential.Somit ist doch dann die drain-gate spannung
> gleich der spannung xyz.
> So müsste es sein, hatte mich von der high-side anwendung vermutlich
> verwirren lassen.
>
> Gruß minipilot


....liegt gate im angesteuertem
zustand auf souche Potential....

Ich meinte natürlich im abgesteuertem Zustand. ...