Hallo, ich beschäftige mich gerade mit einer Schaltung, in der ich N-Kanal MOS-FET in der High-Side einsetze. Um diese aufzusteueren, muss die Spannung am Gate um die Spannung größer sein, welche als "Gate Threshold Voltage" angegeben ist, als die zu schaltende Spannung. Soll der FET nicht durchschaltet, wird das Gate auf die Dain Spannung gelegt. Soweit alles Ok. Nun kommt es in meiner Schaltung aber vor, dass im abgesteuertem Zustand die Spannung am Drain weiter ansteigt, als das vom Gate. Oder besser gesagt, das Gate sackt gegen Drain ab, was auch zum schnelleren abschalten werwendet werden kann. Bei manchen Transitoren ist dieser maximalwert als "Drain-Gate Voltage" bezeichnet, so auch bei dem 2N7002 mit 60V und ist damit gleich der Drain-Souce-Voltage. Wie ist es bei anderen Transitoren, bei denen dieser Wert nicht explizit ausgewiesen ist? Ist das immer gleich wie Drain-Souce? Konnte hierzu noch nichts finden. Danke für eine Erklärung zu dem Sachverhalt. Gruß minipilot
minipilot schrieb: > Soll der FET > nicht durchschaltet, wird das Gate auf die Dain Spannung gelegt. Soweit > alles Ok. Die Treshold-Spannung bezieht sich auf Gate-Source. Nicht durchgeschaltet bedeutet Gate-Source-Spannung kleiner Treshold-Spannung. Betrachte mit dieser Erkenntnis Deine Schaltung auf ein Neues. VG, Michael
Hallo Michael, Da gehe ich mit, hatte ich auch so gemeint. Oft ist halt in Schaltungen mit high side N-kanal ein widerstand zwischen drain und gate. Meine haupt Interesse ist jedoch auf die maximale zulässigen drain zu gate Spannung gerichtet. Hier ist oft keine Angabe darüber im Datenblatt. Ist diese immer gleich der drain souche Spannung, so wie bein 2N7002 ? Gruß minipilot
Hallo minipilot, normal würde ich sagen, dass das Gate über ein Widerstand an Source gekoppelt ist. Hierdurch wird gewährleistet, dass der MosFet erstmal sicher "ausgeschaltet" ist, falls z.B. die Treiberspannung noch nicht zur Verfügung steht. So jetzt zu Deiner Frage (MosFet als Schalter): 1.) Ist der MosFet hochohmig liegt das Gate quasi auf der gleichen Spannung wie Source. Hier zählt dann die Spannung Drain Source. 2.) Ist der MosFet leitend liegt über Drain Source nur der Spannungsabfall über dem N-Kanal an. Somit sollte sich Deine Frage erledigt haben. Mit besten Grüßen, Michael
minipilot schrieb: > Hallo Michael, > > Da gehe ich mit, hatte ich auch so gemeint. Oft ist halt in Schaltungen > mit high side N-kanal ein widerstand zwischen drain und gate. Meine > haupt Interesse ist jedoch auf die maximale zulässigen drain zu gate > Spannung gerichtet. Hier ist oft keine Angabe darüber im Datenblatt. > Ist diese immer gleich der drain souche Spannung, so wie bein 2N7002 ? > > Gruß minipilot Beim 2N700x steht zufällig auch Vdg. Da ist Vdgmax genau so groß wie Vdsmax. http://www.fairchildsemi.com/ds/2N/2N7000.pdf Eigentlich hätte ich da eine höhere Spannung Vdg erwartet, da Vgs=+/-20V erlaubt ist.
Wenn der N-FET nun durchgeschaltet hat, hat souche gleiches Potential wie drain. Wenn nun die spannung am gate zu souche mit +/-20V angegeben ist, gilt dies doch auch für drain gate. Oder noch besser: Wird der FET in low Side betreiben, und ich möchte ein Verbraucher damit schalten welcher mit der Spannung xyz arbeitet, liegt gate im angesteuertem zustand auf souche Potential.Somit ist doch dann die drain-gate spannung gleich der spannung xyz. So müsste es sein, hatte mich von der high-side anwendung vermutlich verwirren lassen. Gruß minipilot
liegt gate im angesteuertem > zustand auf souche Potentiainipilot schrieb: > Wenn der N-FET nun durchgeschaltet hat, hat souche gleiches > Potential > wie drain. Wenn nun die spannung am gate zu souche mit +/-20V angegeben > ist, gilt dies doch auch für drain gate. Oder noch besser: Wird der FET > in low Side betreiben, und ich möchte ein Verbraucher damit schalten > welcher mit der Spannung xyz arbeitet, liegt gate im angesteuertem > zustand auf souche Potential.Somit ist doch dann die drain-gate spannung > gleich der spannung xyz. > So müsste es sein, hatte mich von der high-side anwendung vermutlich > verwirren lassen. > > Gruß minipilot ....liegt gate im angesteuertem zustand auf souche Potential.... Ich meinte natürlich im abgesteuertem Zustand. ...
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