Michael H. schrieb:
> Günter M. schrieb:
>> das Gate eines MOSFET ist gleichzusetzen mit einem Kondensator. Wenn der
>> MOSFET als "Schalter" (also im sog. Sättigungsbetrieb) verwendet wird,
>> dann muss diese Gate-Kapazität geladen werden, um ihn "durchzuschalten".
>> Nach dem Laden der Gate-Kapazität ist der MOSFET dann tatsächlich
>> ausschließlich spannungsgesteuert. Das gilt aus dem vorgenannten aber
>> nicht für die Zeit des Umladens. Der 1k2 soll diesen Ladestrom begrenzen
>> (wobei 1k2 wirklich recht viel ist). Das reduziert zwar die EMV Impulse,
>> führt auf der anderen Seite aber dazu, dass der MOSFET länger im Linear-
>> und nicht im Sättigungs-Betrieb ist. Dadurch wird die Verlust-Leistung,
>> die am MOSFET in Wärme umgesetzt wird größer.
>
> Kleine Korrektur zu den Begrifflichkeiten "Sättigungsbetrieb" und
> "Linearbetrieb". Beim MOSFET werden die Begriffe genau umgekehrt
> verwendet - im Gegensatz zum Bipolartransistor.
Die verwendeten Begriffe im von dir zitierten Teil sind sowieso
unterirdisch. So muß z.B. die Gate-Kapazität immer umgeladen werden,
keineswegs nur im Schaltbetrieb. Das Gate ist im Prinzip ein Kondensator
und immer wenn sich die Spannung an einem Kondensator ändern soll, muß
dazu ein Strom fließen.
Auch ist ein MOSFET immer spannungsgesteuert, nicht nur dann, wenn die
Gate-Source Spannung gerade konstant ist. Denn es ist die Spannung
zwischen Gate und Source, die den Zustand der Drain-Source Strecke
steuert. Daß bei einer Änderung der Spannung ein Strom fließt, ist eine
Erfordernis der Physik. Das wäre auch ohne den MOSFET noch so, denn man
kann elektronische Schaltungen nicht kapazitätsfrei bauen. Jedes
Stückchen Draht. Jeder Anschluß eines Bauteils hat eine Kapazität. Klar,
die Gate-Kapazität eines MOSFET ist größer als diese parasitären
Kapazitäten, aber der Effekt ist dadurch nicht anders, nur größer.
Ob 1.2kΩ "viel" sind, hängt davon ab, was das für ein MOSFET ist. Ein
kleiner wie 2N7002 oder BSS138 hat eine Gate-Kapazität in der
Größenordnung von 50pF, das gibt eine Zeitkonstante von nicht mal 100ns.
So ein MOSFET schaltet dann nicht "langsam". Natürlich gibt es auch
Leistungs-MOSFET mit mehreren nF Gate-Kapazität. Da sieht das dann etwas
anders aus.
Last not least dient so ein Widerstand nicht dazu, den Ausgang des
steuernden µC oder gar des MOSFET-Treibers vor Überstrom zu schützen.
Diese Ausgänge begrenzen den Strom schon selber, durch den
Abschnüreffekt der in ihren Ausgängen enthaltenen MOSFETs. Praktisch
wirkt das so, als wäre da ein Widerstand eingebaut. Bei den
Ausgangsstufen aktueller µC kann man mit einem Wert zwischen 20 und 50Ω
rechnen. Außerdem: jeder CMOS-Eingang (Logikgatter, µC-Pin) hat auch
eine Eingangskapazität; Größenordnung 5pF. Wenn man 10 solche Eingänge
mit einem µC-Ausgang ansteuert, hat man die gleiche kapazitive Belastung
wie mit einem kleinen MOSFET. Trotzdem kommt da niemand auf die Idee,
man müsse einen Serienwiderstand zum Schutz des Ausgangs vorsehen.
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