Hallo zusammen :) ich versuche gerade eine Schaltung zu verstehen, wo 2 Widerstände an einem Mosfet dran sind. Der R1001 dient als Pull Down Widerstand, damit der Mosfet nicht ausversehen leitend wird uns sicher auf Masse gezogen wird. Den Sinn vom R1002 verstehe ich noch nicht ganz. Wenn Mosfet doch per Spannung gesteuert werden, dann braucht man diese doch nicht oder? MfG
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das Gate eines MOSFET ist gleichzusetzen mit einem Kondensator. Wenn der MOSFET als "Schalter" (also im sog. Sättigungsbetrieb) verwendet wird, dann muss diese Gate-Kapazität geladen werden, um ihn "durchzuschalten". Nach dem Laden der Gate-Kapazität ist der MOSFET dann tatsächlich ausschließlich spannungsgesteuert. Das gilt aus dem vorgenannten aber nicht für die Zeit des Umladens. Der 1k2 soll diesen Ladestrom begrenzen (wobei 1k2 wirklich recht viel ist). Das reduziert zwar die EMV Impulse, führt auf der anderen Seite aber dazu, dass der MOSFET länger im Linear- und nicht im Sättigungs-Betrieb ist. Dadurch wird die Verlust-Leistung, die am MOSFET in Wärme umgesetzt wird größer. Also: kleiner Gatewiderstand = schnelles Schalten, wenig Erwärmung, ggf. hohe EMV Emission großer Gatewiderstand = langsames Schalten, hohe Erwärmung, niedrige EMV Emission Wenn das Gate direkt mit dem Ausgang eines Controllers angesteuert wird, soll der Widerstand zudem den max. fließenden Strom auf einen Wert begrenzen, den der Controller problemlos liefern kann.
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Günter M. schrieb: > kleiner Gatewiderstand = schnelles Schalten, wenig Erwärmung, ggf. hohe > EMV Emission hoher Umladestrom der den Treiber überlasten kann, erst Recht bei hohen Gatekapzitäten und vielen Schaltvorgängen (PWM)
Joachim B. schrieb: > vielen Schaltvorgängen (PWM) Du meintest wohl "vielen Schaltvorgängen pro Zeiteinheit", folglich meintest Du hier die "(Schalt-) Frequenz", oder? PWM geht m. W. genausogut mit sehr niedriger Frequenz, das Kürzel heißt doch einfach nur "Pulsbreitenmodulation"?
verwirrter anfänger schrieb: > PWM geht m. W. genausogut mit sehr niedriger Frequenz, > das Kürzel heißt doch einfach nur "Pulsbreitenmodulation"? ja, bei Heizungen sind Zeiten im Minutenbereich sinnvoll, bei Beleuchtung könnte das an aus lästig sein. :)
Günter M. schrieb: > das Gate eines MOSFET ist gleichzusetzen mit einem Kondensator. Wenn der > MOSFET als "Schalter" (also im sog. Sättigungsbetrieb) verwendet wird, > dann muss diese Gate-Kapazität geladen werden, um ihn "durchzuschalten". > Nach dem Laden der Gate-Kapazität ist der MOSFET dann tatsächlich > ausschließlich spannungsgesteuert. Das gilt aus dem vorgenannten aber > nicht für die Zeit des Umladens. Der 1k2 soll diesen Ladestrom begrenzen > (wobei 1k2 wirklich recht viel ist). Das reduziert zwar die EMV Impulse, > führt auf der anderen Seite aber dazu, dass der MOSFET länger im Linear- > und nicht im Sättigungs-Betrieb ist. Dadurch wird die Verlust-Leistung, > die am MOSFET in Wärme umgesetzt wird größer. Kleine Korrektur zu den Begrifflichkeiten "Sättigungsbetrieb" und "Linearbetrieb". Beim MOSFET werden die Begriffe genau umgekehrt verwendet - im Gegensatz zum Bipolartransistor. Wenn der MOSFET in Sättigung betrieben wird liegt viel Spannung über DRAIN SOURCE an - das Gate wird also noch geladen. Ist die Drain Source Spannung klein und der MOSFET voll durchgeschaltet befindet er sich im linearen Bereich oder auch ohmschen Bereich man sieht einen einigermaßen konstanten Widerstand und der MOSFET fungiert als Schalter.
Michael H. schrieb: > Günter M. schrieb: >> das Gate eines MOSFET ist gleichzusetzen mit einem Kondensator. Wenn der >> MOSFET als "Schalter" (also im sog. Sättigungsbetrieb) verwendet wird, >> dann muss diese Gate-Kapazität geladen werden, um ihn "durchzuschalten". >> Nach dem Laden der Gate-Kapazität ist der MOSFET dann tatsächlich >> ausschließlich spannungsgesteuert. Das gilt aus dem vorgenannten aber >> nicht für die Zeit des Umladens. Der 1k2 soll diesen Ladestrom begrenzen >> (wobei 1k2 wirklich recht viel ist). Das reduziert zwar die EMV Impulse, >> führt auf der anderen Seite aber dazu, dass der MOSFET länger im Linear- >> und nicht im Sättigungs-Betrieb ist. Dadurch wird die Verlust-Leistung, >> die am MOSFET in Wärme umgesetzt wird größer. > > Kleine Korrektur zu den Begrifflichkeiten "Sättigungsbetrieb" und > "Linearbetrieb". Beim MOSFET werden die Begriffe genau umgekehrt > verwendet - im Gegensatz zum Bipolartransistor. Die verwendeten Begriffe im von dir zitierten Teil sind sowieso unterirdisch. So muß z.B. die Gate-Kapazität immer umgeladen werden, keineswegs nur im Schaltbetrieb. Das Gate ist im Prinzip ein Kondensator und immer wenn sich die Spannung an einem Kondensator ändern soll, muß dazu ein Strom fließen. Auch ist ein MOSFET immer spannungsgesteuert, nicht nur dann, wenn die Gate-Source Spannung gerade konstant ist. Denn es ist die Spannung zwischen Gate und Source, die den Zustand der Drain-Source Strecke steuert. Daß bei einer Änderung der Spannung ein Strom fließt, ist eine Erfordernis der Physik. Das wäre auch ohne den MOSFET noch so, denn man kann elektronische Schaltungen nicht kapazitätsfrei bauen. Jedes Stückchen Draht. Jeder Anschluß eines Bauteils hat eine Kapazität. Klar, die Gate-Kapazität eines MOSFET ist größer als diese parasitären Kapazitäten, aber der Effekt ist dadurch nicht anders, nur größer. Ob 1.2kΩ "viel" sind, hängt davon ab, was das für ein MOSFET ist. Ein kleiner wie 2N7002 oder BSS138 hat eine Gate-Kapazität in der Größenordnung von 50pF, das gibt eine Zeitkonstante von nicht mal 100ns. So ein MOSFET schaltet dann nicht "langsam". Natürlich gibt es auch Leistungs-MOSFET mit mehreren nF Gate-Kapazität. Da sieht das dann etwas anders aus. Last not least dient so ein Widerstand nicht dazu, den Ausgang des steuernden µC oder gar des MOSFET-Treibers vor Überstrom zu schützen. Diese Ausgänge begrenzen den Strom schon selber, durch den Abschnüreffekt der in ihren Ausgängen enthaltenen MOSFETs. Praktisch wirkt das so, als wäre da ein Widerstand eingebaut. Bei den Ausgangsstufen aktueller µC kann man mit einem Wert zwischen 20 und 50Ω rechnen. Außerdem: jeder CMOS-Eingang (Logikgatter, µC-Pin) hat auch eine Eingangskapazität; Größenordnung 5pF. Wenn man 10 solche Eingänge mit einem µC-Ausgang ansteuert, hat man die gleiche kapazitive Belastung wie mit einem kleinen MOSFET. Trotzdem kommt da niemand auf die Idee, man müsse einen Serienwiderstand zum Schutz des Ausgangs vorsehen.
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