Bidirektionaler Switch mit N-Kanal MOSFETs, Common Source

Jochen Gast #6965248
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Hallo zusammen,

ich habe eine kurze Verständnisfrage zu bidirektionalen Switches mit 
zwei N-Kanal-Mosfets.

Kurz zum Hintergrund: Ich suche nach einer Möglichkeit, mehrere Antennen 
mit einem MFRC522 RFID-Modul anzusteuern. In einer entsprechenden 
Guideline von NXP ist beschrieben, wie man nicht benötigte Antennen mit 
MOSFETS auf den Grund kurzschließen kann, um sie zu deaktivieren. So 
kann man gezielt einzelne Antennen aktivieren, um sie auszulesen, andere 
Antenne sind dann deaktiviert und verursachen keine Störungen. Hier wird 
das Thema bereits diskutiert 
(https://electronics.stackexchange.com/questions/521345/rfid-antenna-multiplexer), 
dort wird die Guideline auch verlinkt, im Anhang ein Screenshot der 
Schaltung, um die es geht.

Hier hab ich eine spezifische Frage: In dem Screenshot sieht es so aus, 
als ob der MOSFET normal leitend ist, allerdings wird in der Guideline 
auf die 2N7002P-Reihe von NXP verwiesen, das sind n-kanal enhancement 
mode MOSFETS, also normal nicht leitend. Also nehme ich an, dass das 
einfach ein Druckfehler ist. Man sieht, dass die beiden Sources der 
MOSFETS verbunden sind. In ähnlichen Konfigurationen, die ich gesehen 
habe, wird allerdings meistens ein recht hochohmiger Widerstand zwischen 
den gemeinsamen Sources und einem Bezugspotential (Ground) geschaltet. 
In dem vorliegenden Fall allerdings nicht. Ich habe mal beides in LT 
Spice simuliert und beides funktioniert. Kann mir jemand erklären, wo im 
zweiten Fall das Bezugspotential herkommt? Den Messungen nach liegt das 
Potential an den isolierten Gates, wenn die MOSFETS geschlossen sind, 
immer zwischen 0 und - Volt. Die Kurve ist im Anhang, rot die Spannung 
an den Sources, links die Spannung an den Enden der Antenne, in dem 
Fall, dass die MOSFETS nicht leitend sind.

Viele Grüße
Jochen
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Mark S. #6965271
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Jochen schrieb:
> Habe den zweiten Anhang vergessen, hier ist er!
Zum Verständnis: Ja, das funktioniert mit 2N7002. Male Dir die 
intrischen Dioden mal ein. Und dann bedenke, dass der Kanal eines NMOS 
immer dann leitet, wenn die gemeinsame gate-Spannung positiver als die 
source ODER das drain ist. Und das Ganze sperrt, wenn das gemeinsame 
gate auf GND gezogen wird. Das geht natürlich nur mit MOSFETs, nicht mit 
BJTs.
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Jochen Gast #6965284
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Vielen Dank für die Antwort,

dann verstehe ich es also richtig, dass die Konfiguration nicht immer 
sperrt - wenn also an einer Seite der Antenne eine entsprechend negative 
Spannung anliegt, fließt also durchaus doch Strom zwischen der Seite der 
Antenne und dem Ground?

Habe es mal ohne die Schaltung mit den Mosfets simuliert, da liegt die 
Spannung an der Antenne um einen Faktor 5 höher. Da muss ich mal 
schauen, ob mit der Schaltung nicht zu viel Energie verloren geht.

Grüße
Jochen
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